ATR法を用いた金属スパッタ薄膜の特性評価
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概要
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本研究では,マグネトロンスパッタ装置を用いて膜厚及びバイアス電圧を変化させてAg及びCu薄膜を作製し,ATR(全反射減衰)法を用いて作製後からの時間経過に伴う変化の評価を行った。その結果,Ag.薄膜は,バイアス電圧-50Vで作製すると,最も連続性の高い膜を作製することができるが,作製後からの時間経過に伴い,膜中の空孔の割合が多くなる傾向は抑制できないこと,Cu薄膜の作製後からの時間経過に伴って酸化していく傾向と,時間経過に伴う誘電率実数部の変化傾向がほぼ一致すること及びATR法が,Ag薄膜におけるAg粒子が作製後からの時間経過に伴い,凝集するように変化していく過程及びCu薄膜の表面酸化を知るための有効な方法であることが明らかとなった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
著者
-
清水 英彦
新潟大学工学部電気電子工学科
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
岩野 春男
新潟大学工学部
-
丸山 武男
新潟大学工学部
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
清水 英彦
新潟大 工
-
佐藤 豪男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
渡辺 隼人
新潟大学工学部
-
小熊 康平
新潟大学工学部
-
清水 英彦
新潟大学工学部
-
丸山 武男
新潟大学
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