25pB11 2元真空蒸着法によるSi(100)へのZnSのエピタキシャル成長(半導体エピ(3),第34回結晶成長国内会議)
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概要
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ZnS thin films were epitaxially grown on Si(100) wafers by the two-source vacuum evaporation method. There were only 200 and 400 peaks in the XRD patterns. The twin structure was not found in the RHEED patterns and the free exciton emission was observed in the photoluminescence spectra, indicating the high quality of films.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2004-08-25
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
渡邉 玲
新潟大学大学院自然科学研究科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
山口 和也
新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大 工
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