電解重合ヘテロ膜の作製と電気特性
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概要
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電解重合膜によるpn接合素子の形成を目的に,ポリピロールとポリ3-メチルチオフェンから成るヘテロ重合膜の作製を行った。基板に0V(短絡処理)あるいは -1.5Vの電圧を印加して,電解重合したヘテロ膜の脱ドーピング処理を行い,pn接合の形成を光学特性や電気特性から調べた。-1.5V印加した膜はカチオンドーピングが行われており,p形ポリピロール,n形ポリ3-メチルチオフェンから成るpn形の電解重合ヘテロ膜を得ることができた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-17
著者
-
新保 一成
新潟大学工学部電気電子工学科
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
竹内 正樹
新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
加藤 景三
新潟大学工学部
-
竹内 正樹
新潟大 大学院自然科学研究科
-
竹内 正樹
新潟大学工学部電気電子工学科
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
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