非線形光学結晶Ag(AlGa)S_2のGaAs基板上でのエピタキシャル成長
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概要
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多元蒸着法により構成元素を原料に用いてGaAs(100)基板上にAg(Al_xGa_<1-x>)S_2エピタキシャル成長層(x<0.3)を初めて作製した。I族とIII族の原料供給比の最適化による化学量論組成制御の向上が, a軸配向領域および{112}双晶領域の発生を抑制することがわかった。c軸配向が支配的な成長層(厚さ0.3〜0.5μm)では, 格子不整合による2次元圧縮歪みに比べ, 熱膨張係数差による2次元引っ張り歪みが支配的であることがわかった。反射率異常スペクトルの回折から, 励起子領域で観測された発光は自由励起子再結合によると考えられる。これは成長層が光学的に良質であることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-10-30
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
-
松田 茂
新潟大学大学院自然科学研究科
-
倉沢 正樹
新潟大学大学院自然科学研究科
-
本郷 徳志
新潟大学工学部
-
金子 双男
長岡工業高等専門学校
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