Al薄膜/LB薄膜上に共鳴励起した表面プラズモンによるエバネッセント場の検出とその強度特性
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概要
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本研究では、CdSを塗布した金属針プローブ型の検出装置を用いてAl薄膜、及びAl薄膜/LB薄膜上に共鳴励起した表面プラズモン(SP)によるエバネッセント場の強度特性を調べた。Al薄膜について詳しく測定した結果、SPを共鳴励起する全反射減衰(ATR)特性で反射率のディップがみられるが、エバネッセント場の強度は、ディップ角度より低角度側で強くなっていることが分かった。またAl薄膜上にアラキジン酸LB薄膜の累積層数を増加させると、薄膜近傍に存在するエバネッセント場の強度が減少することも分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-05-21
著者
-
新保 一成
新潟大学工学部電気電子工学科
-
若松 孝
茨城工業高等専門学校
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
小林 肇
新潟大大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
川上 貴浩
新潟大学工学部
-
中野 貴之
新潟大大学院自然科学研究科
-
加藤 景三
新潟大学工学部
-
中野 貴之
新潟大学工学部電気電子工学科
-
小林 肇
新潟大学工学部電気電子工学科
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
-
Kato Ken-ichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Osaka City University
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