CuInS_2-CuIn_5S_8系薄膜の構造評価
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概要
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太陽電池材料として重要なCu-In-S系化合物半導体であるCuInS_2とCuIn_5S_8薄膜の、Si (100)基板上へのエピタキシャル成長を、多元同時真空蒸着法により試みた。CuとSセル温度を一定に保ったままInセル温度を変えると、CuInS_2とCuIn_5S_8の間で両者が混在しながら、組成が連続的に変化することが分った。RHEEDによる構造解析から、成長したCuInS_2はスファレライト型結晶構造を有してエピタキシャル成長していることが分かり、CuIn_5S_8については、スピネル型結晶構造をとり、単結晶が成長していることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-10-15
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
-
瀬賀 寿幸
新潟大学大学院自然科学研究科
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