CuGaS_2薄膜の配向評価
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概要
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三元蒸着法で (100)Si, GaAs及びGaP基板上にCuGaS_2薄膜を同一条件で成長し、それぞれをRHEEDパターンから結晶学的に比較した。評価には、X線回折パターンで[001]配向 (c-軸配向) しか示さない試料を使用した。(100)Si基板上に成長した試料では、c-軸配向の他に2種類の<100>配向 (a-軸配向) と4種類の{112}双晶が存在していることを確認した。(100)GaAs及びGaP基板上に成長しだ試料では、a-軸配向が完全に抑えられ、Si基板上に成長した膜よりも結晶性が改善されることがわかったが、c-軸配向結晶の他に2種類の{112}双晶が存在していた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-10-31
著者
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
-
太田 新一
日本精機株式会社R&Dセンター
-
太田 新一
日本精機株式会社r&dセンター
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