スパッタ法による磁気記録媒体用Cr下地膜の微細構造制御法の検討

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概要

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到達真空度が10^<-9>Torr台の対向ターゲット式スパッタ装置及び到達真空度が10^<-7>Torr台のマグネトロンスパッタ装置を用いて約36nm/minの堆積速度でDCスパッタによりガラス基板上に厚さ約10nm〜40nmのCr薄膜を堆積した。その結果、通常のマグネトロンスパッタ装置では250℃の基板温度で完全な(100)配向膜を得ることができなかったのに対し、対向ターゲット式スパッタ装置では、10nmの厚さでも完全な(100)配向膜を得ることができた。また、対向ターゲット式スパッタ法で得られたCr膜の結晶粒径はマグネトロンスパッタ法の膜と比較して、半分以下と小さく、(100)配向性が良好で、かつ小さな粒径の膜が得られることが明らかとなった。
1998-10-29

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