対向ターゲット式反応性スパッタ法によるCuAlO_2薄膜の作製と評価
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概要
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CuとAlの金属単体をターゲットに用いた対向ターゲット式反応性スパッタ法によりCuAlO_2薄膜を作製した。基板温度300℃で作製した薄膜はアモルファス構造であったため、窒素雰囲気中で4時間の熱処理を行ったところ、700℃以上で熱処理した[Cu]/[Al]≒1の薄膜においてp型伝導を示すデラフォサイト型CuAl0_2透明薄膜が得られた。熱処理後の薄膜において、[Cu]/[Al]モル比の変化に伴う基礎吸収端のシフトは、CuAlO_2相に混在する酸化銅や酸化アルミニウムによる影響と考えられる。さらに、基板温度を700℃にして、薄膜の作製も行った。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
著者
-
清水 英彦
新潟大学工学部電気電子工学科
-
金子 双男
新潟大学大学院自然科学研究科
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
金子 双男
新潟大学超域研究機構:新潟大学大学院自然科学研究科
-
金子 双男
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
高橋 良和
日本アイ・ビー・エム野洲事業所半導体パッケージ製品技術
-
清水 英彦
新潟大 工
-
加藤 景三
新潟大学工学部
-
伊藤 雄二
新潟大学大学院自然科学研究科
-
高橋 良和
新潟大学大学院自然科学研究科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
Kato K
Nippon Telegraph And Telephone Corp. Tokyo Jpn
-
Kato K
Shizuoka Johoku Senior High School Shizuoka Jpn
-
Kato Ken-ichi
Department Of Electrical Engineering Faculty Of Engineering Osaka City University
-
清水 英彦
新潟大学工学部
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