プラズマアシスト電子ビーム蒸着法によるTiO_2薄膜の高速成膜
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概要
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酸素プラズマアシスト電子ビーム蒸着法を用いて、基板上での酸化を促進することにより、高速度でTiO_2薄膜を作製することを試みた。酸素を活性化しない場合は、室温基板上では酸化が進まず、Ti原子一個に対して酸素分子を150個以上供給しても、吸収の多い膜しか形成できなかったが、基板温度を100℃以上にあげることで、基板表面での酸化が促進されることが分かった。さらに50℃以下の基板温度でも、酸素ガスをプラズマ中で活性化して供給することで、酸化が促進されること、この酸素イオンを50eVに加速して供給することでさらに顕著な酸化促進効果があり、1.6nm/secというかなり高い堆積速度を実現できることが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-07-31
著者
-
清水 英彦
新潟大学工学部電気電子工学科
-
清水 英彦
新潟大 工
-
星 陽一
東京工芸大学工学部
-
神谷 攻
東京工芸大学工学部
-
川口 茂利
東京工芸大学工学部
-
星 陽一
東京工芸大学工学部システム情報学科
-
清水 英彦
新潟大学工学部
-
星 陽一
東京工芸大学 工学部 システム情報学科
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