低電圧スパッタ法を用いた室温成膜AZO薄膜の特性(材料デバイスサマーミーティング)

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概要

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本研究では,低電圧でのスパッタが可能なRF-DC結合形スパッタ法と,ターゲットの焼結温度に注目し,高エネルギー粒子が膜に及ぼす影響とターゲット作製条件の違いによるAZO薄膜の特性の検討を行った。その結果,低電圧にて作製した薄膜の方が,ZnO(002)面ピーク強度が大きくなる傾向であることが分かった。また,焼結温度1100℃に比べ,1300℃の方が,若干ZnO(002)面ピーク強度が小さくなった。1100℃にて焼結したターゲットを用い,作製された薄膜では,どの基板位置においても,低電圧にて作製した薄膜の方が,移動度が大きく,キャリア密度及び抵抗率が小さいことが分かった。一方,1300℃にて焼結したターゲットを用い,作製された薄膜は,1100℃にて焼結したターゲットを用いた場合に比べ,放電電圧による違いは小さいことが分かった。
2011-06-23

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