CS_2ガスを用いた反応性スパッタ法によるCuInS_2薄膜の組成制御
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概要
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薄膜太陽電池の光吸収材料として期待されるCuInS_2薄膜を、Cu/Inターゲット面積比とCS_2ガス分圧を変化させ、反応性スパッタ法により基板温度100℃で作製した。[Cu]/[In]組成比は、Cu/Inターゲット面積比に比例し、CS_2ガス分圧にあまり依存しなかった。[S]/([Cu]+[In])組成は、Cu/Inターゲット面積比の増加と共に減少する傾向があり、CS_2ガス分圧の増加に伴いやや増加した。CS_2ガス分圧が低い膜ではアモルファスであり、高い膜には、CuInS_2(112)面のX線回折強度が強いものがあった。組成の良好な膜でも、吸収端は810nmより波長側にあった。すべての薄膜はp形で、抵抗率はCu/Inターゲット面積比の増加に伴い低下した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-06
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