太陽電池に向けたSi基板上CuInS_2薄膜の検討
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概要
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構成元素単体を蒸発原料とした多元同時真空蒸着法により、Si(100)基板上にCuInS_2薄膜の成長を行った。成長速度を遅くした方が膜の結晶性が向上することを実験的に確認し、基板温度400℃において成長速度0.08μm/hとなる成長条件を適用した。X線回折から、膜が基板の配向の影響を受けて成長していることが確認できたが、膜厚の増加とともに異相の存在を示す回折ピークが現れた。Al/ n-CuInS_2/ p-Si/ Al構造として試作した太陽電池の電流-電圧特性では、209mVの開放電圧を0.404のFFが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-10-19
著者
-
坪井 望
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
-
片桐 裕則
長岡工高専
-
片桐 裕則
長岡工業高専
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