スパッタ・セレン化法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価(II)
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概要
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ガラス基板上にスパッタした(Cu・In)混合プレカーサをセレン化する事によりCuInSe_2薄膜を作製した。これは、X線回折と光学的測定の結果より、カルコパイライト型構造と1.0[eV]の光学的バンドギャップを持つ、光吸収係数の大きな薄膜であることを確認した。また、Van der Pauw法によるHall測定結果より、電気的特性は組成に強く依存することが明らかとなった。これらの結果を参考に、スパッタ法でCdS:In(1μm厚), CdS(0.5μm厚)の薄膜をMo基板上のCISに積層し、薄膜太陽電池を試作した。
- 1994-09-12
著者
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