In_2Se_3,Cu を原料とした CuInSe_2 薄膜の作製と評価
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
In_2Se_3,Cuを蒸着原料に用い、3段階作製法でCuInSe_2薄膜を作製した。作製には、E-B蒸着装置とるつぼ型の蒸着源を有する蒸着装置を用いた。In_2Se_3とCuの膜厚比を変化することにより、組成比を制御した。セレン化時の基板温度550(℃)で、膜厚0.8(μm)の均一な薄膜を得た。EPMAとX線回折により、化学量論的組成に近いカルコパイライト型構造を持つ薄膜であることを確認した。また光吸収係数は、10^4(cm^1)台と大きな値を示した。抵抗率は、10^3(Ωcm)台で、伝導型はn型であった。
- 1995-09-30
著者
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
久保田 健
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
富田 真紀
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工高専
-
西牧 千秋
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
片桐 裕則
長岡工業高専
関連論文
- RFスパッタ法によるMo, ZnO薄膜の作製と評価
- E-B蒸着・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
- スパッタ・セレン化法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価(II)
- 溶融法によるCu_2ZnSnS_4結晶の作製(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 太陽電池に向けたSi基板上CuInS_2薄膜の検討
- タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- RFスパッタ法によるZnO薄膜の作製と評価
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 長岡高専における組込システム技術者育成研修とその活用
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池(薄膜プロセス・材料, 一般)
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 多元系化合物Cu_2ZnSnS_4光吸収層による新型薄膜太陽電池の開発
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 新材料による化合物薄膜太陽電池
- 大気開放CVD法によるZnO:Al薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 蒸着・硫化法によるCu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の作製
- Cu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の開発
- 同時スパッタ・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
- CuInSe_2 薄膜の諸特性における熱処理の影響
- In_2Se_3,Cu を原料とした CuInSe_2 薄膜の作製と評価
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-12 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したガラス基板上ZnO膜へのスパッタ下地層挿入効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-2 高エネルギーH20を用いてスパッタバッファー層上に成長したZnO膜の特性(C-6.電子部品・材料)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 汎用原料を用いたCu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜太陽電池の紹介
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果