片桐 裕則 | 長岡工業高専
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概要
関連著者
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片桐 裕則
長岡工業高専
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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片桐 裕則
長岡工高専
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神保 和夫
長岡工業高専
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安井 寛治
長岡技術科学大学
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
小柳 貴寛
長岡技術科学大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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高田 雅介
長岡技科大
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赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
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里本 宗一
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技科大
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竹澤 和樹
長岡技術科学大学
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里本 宗一
長岡技科大工
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佐藤 魁
長岡技術科学大学
-
里本 宗一
長岡技科大
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大島 穣
長岡技術科学大学工学部
-
大島 穣
長岡技術科学大学
-
朝野 章
長岡技術科学大学
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学工学部
-
中村 友紀
長岡技術科学大学
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坪井 望
新潟大学工学部
-
坪井 望
新潟大学工学部機能材料工学科
-
小林 敏志
新潟大学工学部
-
山田 覚
長岡工業高等専門学校
-
山崎 誠
長岡工業高等専門学校
-
ハニフ モハマド
長岡技術科学大学工学部
-
新保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
鷲尾 司
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
陸 鴻
長岡技術科学大学
-
ハニフ モハマド
長岡技術科学大学
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加藤 孝弘
長岡技科大
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竹澤 和樹
長岡技科大
-
小柳 貴寛
長岡技科大
-
鷲尾 司
長岡工業高等専門学校専攻科
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成田 克
山形大学工学部
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宮崎 敏昌
長岡工業高等専門学校
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五十嵐 淳
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
荒木 秀明
長岡工業高等専門学校
-
遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
末光 眞希
東北大通研
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瀬賀 寿幸
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
渡邊 卓
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
石垣 直也
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
西村 正人
長岡工業高等専門学校 電気工学科
-
島田 聡郎
長岡工業高等専門学校
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吉田 理
長岡工業高等専門学校
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瀬賀 寿幸
新潟大学大学院自然科学研究科
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田原 将巳
長岡技術科学大学工学部
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宮島 晋介
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
篠原 寛之
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
車谷 智美
長岡工業高等専門学校電気工学科
-
斉藤 言栄
長岡工業高等専門学校電気工学科
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牧野 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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矢野 昌平
長岡工業高等専門学校
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竹内 麻希子
長岡工業高等専門学校
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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ウィン シュウ
長岡工業高等専門学校
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マウ ウィン
長岡工業高等専門学校
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南 直樹
新潟県工業技術センター
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尾辻 美紅
長岡技術科学大学
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木村 亮一
長岡工業高等専門学校
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上村 剛
長岡工業高等専門学校
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小柳 泰輔
長岡工業高等専門学校専攻科
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篠田 俊介
長岡工業高等専門学校専攻科
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小林 武
長岡工業高等専門学校専攻科
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森谷 克彦
長岡工業高等専門学校 専攻科
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土田 宗和
長岡工業高等専門学校 専攻科
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近藤 正光
長岡工業高等専門学校電気工学科
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石田 猛
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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西片 寿仁
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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樋浦 栄寿
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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塚田 優子
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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安 啓鍾
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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安井 寛治
長岡技科大工
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森谷 克彦
長岡技術科学大学
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田原 将巳
長岡技術科学大学
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久保田 健
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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富田 真紀
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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牧野 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
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坪井 望
新潟大 工
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西牧 千秋
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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高田 雅介
長岡技術科学大学工学部
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安井 寛治
長岡技術科学大学工学部
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樋口 健人
長岡工業高等専門学校専攻科
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校電気電子システム工学科
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校専攻科
著作論文
- RFスパッタ法によるMo, ZnO薄膜の作製と評価
- E-B蒸着・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
- スパッタ・セレン化法によるCuInSe_2薄膜の作製と評価(II)
- 溶融法によるCu_2ZnSnS_4結晶の作製(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 太陽電池に向けたSi基板上CuInS_2薄膜の検討
- タングステンメッシュにより生成した高密度水素ラジカル アニールによるZnO:Al膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- RFスパッタ法によるZnO薄膜の作製と評価
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 長岡高専における組込システム技術者育成研修とその活用
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- 同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池(薄膜プロセス・材料, 一般)
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 多元系化合物Cu_2ZnSnS_4光吸収層による新型薄膜太陽電池の開発
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 新材料による化合物薄膜太陽電池
- 大気開放CVD法によるZnO:Al薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
- 蒸着・硫化法によるCu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の作製
- Cu_2ZnSnS_4系薄膜太陽電池の開発
- 同時スパッタ・気相硫化法によるCu_2ZnSnS_4薄膜の作製と評価
- CuInSe_2 薄膜の諸特性における熱処理の影響
- In_2Se_3,Cu を原料とした CuInSe_2 薄膜の作製と評価
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-12 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したガラス基板上ZnO膜へのスパッタ下地層挿入効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-2 高エネルギーH20を用いてスパッタバッファー層上に成長したZnO膜の特性(C-6.電子部品・材料)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
- 汎用原料を用いたCu_2ZnSnS_4(CZTS)薄膜太陽電池の紹介
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果