安井 寛治 | 長岡技科大
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概要
関連著者
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安井 寛治
長岡技科大
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
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里本 宗一
長岡技科大工
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里本 宗一
長岡技科大
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里本 宗一
長岡技術科学大学
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佐藤 魁
長岡技術科学大学
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片桐 裕則
長岡工業高専
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神保 和夫
長岡工業高専
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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加藤 有行
長岡技術科学大学
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神保 和夫
長岡工業高等専門学校
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三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
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山口 直也
長岡技術科学大学
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中澤 日出樹
弘前大学
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姉崎 豊
長岡技術科学大学
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永冨 瑛智
長岡技術科学大学
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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北野 正雄
京大工
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中西 俊博
京大工
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田原 将巳
長岡技科大工
-
安井 寛治
長岡技科大工
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梅本 宏信
静岡大学
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小柳 貴寛
長岡技術科学大学
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学工学部
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玉山 泰宏
長岡技科大
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成田 克
山形大学工学部
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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西山 洋
長岡技術科学大学
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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三浦 仁嗣
長岡技科大工
-
西山 洋
長岡技科大工
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田原 将巳
長岡技術科学大学
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成田 克
山形大学
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西山 洋
長岡技科大
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竹澤 和樹
長岡技術科学大学
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北野 正雄
京都大学工学研究科
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川上 彰
情報通信研究機構
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北野 正雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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大谷 孝史
長岡技術科学大学
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濱崎 勝義
長岡技術科学大学工学部電気系
-
末松 久幸
長岡技術科学大学工学部電気系
-
永田 一樹
長岡技科大工
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姉埼 豊
長岡技術科学大学
-
濱崎 勝義
長岡技術科学大学
-
末松 久幸
長岡技術科学大学
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加藤 孝弘
長岡技科大
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竹澤 和樹
長岡技科大
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小柳 貴寛
長岡技科大
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末光 眞希
東北大通研
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黒田 朋義
長岡技術科学大学
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大石 耕一郎
長岡工業高等専門学校
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石田 弘樹
長岡技術科学大学工学部電気系
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黒田 朋義
長岡技科大工
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須藤 晴紀
長岡技術科学大学
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部電気系
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田村 和之
長岡技術科学大学 工学部 電気系
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浅野 翔
長岡技術科学大学
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大谷 孝
長岡技術科学大学
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加藤 有行
山形大学工学部
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須永 悟
長岡技術科学大学工学部電気系
-
浅野 武史
長岡技術科学大学工学部電気系
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石田 弘樹
富山高等専門学校
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西方 翼
長岡技術科学大学工学部電気系
-
竹内 智彦
長岡技術科学大学
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小瀧 侑央
長岡技術科学大学工学部電気系
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西山 智哉
長岡技科大
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谷川 世大
長岡技科大
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中澤 勇太
長岡技科大
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田村 和之
長岡技科大
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豊田 英之
長岡技術科学大学工学部
-
西方 翼
長岡技術科学大学
-
小瀧 侑央
長岡技術科学大学
著作論文
- C-6-2 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の結晶構造(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnOエピタキシャル薄膜の光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- SiC層中に埋め込まれたGe・SiCドットの発光特性
- Bi_2Sr_2CaCu_2O_xスタックからのテラヘルツ波検出法に関する研究(薄膜プロセス・材料,一般)
- 希塩酸を用いた両面加工法によるBi_2Sr_2CaCu_2O_結晶内部への固有 Josephson 接合スタック作製プロセス
- 有機金属化合物を用いたSiC/Geナノドット積層構造の作製
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO/a-Al_2O_3膜の電気伝導特性 : 二層モデルによる解析(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-11 触媒反応を用いて生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上へ堆積したZnOエピタキシャル膜の電気特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-12 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したガラス基板上ZnO膜へのスパッタ下地層挿入効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- パルス電流法によるBi-2212接合スタックの接合数評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)
- ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- 27aDA-3 間接結合を導入した結合共振メタマテリアルにおける狭帯域透明化現象(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aDA-3 間接結合を導入した結合共振メタマテリアルにおける狭帯域透明化現象(フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域5,領域1合同,領域5(光物性))
- C-6-8 触媒反応生成高エネルギー窒素系プリカーサーを用いたGaN膜の成長(C-6.電子部品・材料)
- C-6-2 高エネルギーH20を用いてスパッタバッファー層上に成長したZnO膜の特性(C-6.電子部品・材料)
- 30aCK-12 結合スプリットリング共振器メタマテリアルによる半透過半反射1/4波長板の実現(30aCK 領域5,(7〜13番目のみ領域1と合同) フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,領域1(原子分子・量子エレクトロニクス・放射線))
- 30aCK-12 結合スプリットリング共振器メタマテリアルによる半透過半反射1/4波長板の実現(30aCK 領域5,領域1合同 フォトニック結晶・メタマテリアル・プラズモニクス,(放射光,光電子分光,発光,非線形,フォトニック結晶),領域5(光物性))