里本 宗一 | 長岡技科大工
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概要
関連著者
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安井 寛治
長岡技術科学大学
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里本 宗一
長岡技科大工
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里本 宗一
長岡技科大
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里本 宗一
長岡技術科学大学
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安井 寛治
長岡技科大
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加藤 孝弘
長岡技術科学大学
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神保 和夫
長岡工業高等専門学校
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三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
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片桐 裕則
長岡工業高専
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長岡工業高専
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
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田原 将巳
長岡技科大工
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安井 寛治
長岡技科大工
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田原 将巳
長岡技術科学大学
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小柳 貴寛
長岡技術科学大学
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佐藤 魁
長岡技術科学大学
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佐藤 魁
長岡技術科学大学工学部
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永田 一樹
長岡技術科学大学
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西山 洋
長岡技術科学大学
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三浦 仁嗣
長岡技科大工
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西山 洋
長岡技科大工
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山口 直也
長岡技術科学大学
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永冨 瑛智
長岡技術科学大学
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西山 洋
長岡技科大
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成田 克
山形大学工学部
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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遠藤 哲郎
東北大学学際科学国際高等研究センター
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伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
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中澤 日出樹
弘前大学大学院理工学研究科
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中澤 日出樹
弘前大学理工学部
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伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
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末光 眞希
東北大通研
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片桐 裕則
長岡工業高等専門学校 電気工学科
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末光 真希
東北大学電気通信研究所
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永田 一樹
長岡技科大工
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中澤 日出樹
弘前大学
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成田 克
山形大学
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梅本 宏信
静岡大学
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加藤 孝弘
長岡技科大
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竹澤 和樹
長岡技科大
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小柳 貴寛
長岡技科大
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竹内 智彦
長岡技術科学大学
-
竹澤 和樹
長岡技術科学大学
著作論文
- パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-7 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて堆積したZnOエピタキシャル薄膜の光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-6 H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnOエピタキシャル薄膜の電気特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したZnO結晶薄膜の電気特性(材料デバイスサマーミーティング)
- C-6-11 触媒反応を用いて生成した高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上へ堆積したZnOエピタキシャル膜の電気特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- C-6-12 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したガラス基板上ZnO膜へのスパッタ下地層挿入効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
- H_2-O_2触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてサファイア基板上に堆積したZnO薄膜の電気伝導特性の解析(薄膜プロセス・材料,一般)