神保 和夫 | 長岡工業高専

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概要

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• 片桐 裕則

  長岡工業高専

• 神保 和夫

  長岡工業高専

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 神保 和夫

  長岡工業高等専門学校

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校

• 加藤 孝弘

  長岡技術科学大学

• 小柳 貴寛

  長岡技術科学大学

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校 電気工学科

• 里本 宗一

  長岡技術科学大学

• 片桐 裕則

  長岡工高専

• 安井 寛治

  長岡技科大

• 竹澤 和樹

  長岡技術科学大学

• 大石 耕一郎

  長岡工業高等専門学校

• 里本 宗一

  長岡技科大工

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学

• 里本 宗一

  長岡技科大

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学工学部

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学工学部

• 中村 友紀

  長岡技術科学大学

• 大島 穣

  長岡技術科学大学工学部

• 陸 鴻

  長岡技術科学大学

• 大島 穣

  長岡技術科学大学

• 加藤 孝弘

  長岡技科大

• 竹澤 和樹

  長岡技科大

• 小柳 貴寛

  長岡技科大

• 成田 克

  山形大学工学部

• 坪井 望

  新潟大学工学部

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 坪井 望

  新潟大学工学部機能材料工学科

• 荒木 秀明

  長岡工業高等専門学校

• 小林 敏志

  新潟大学工学部

• 山田 覚

  長岡工業高等専門学校

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 永田 一樹

  長岡技術科学大学

• 伊藤 隆

  東北大学電気通信研究所

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 伊藤 隆

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 末光 眞希

  東北大通研

• 島田 聡郎

  長岡工業高等専門学校

• 吉田 理

  長岡工業高等専門学校

• 山崎 誠

  長岡工業高等専門学校

• ハニフ モハマド

  長岡技術科学大学工学部

• 鷲尾 司

  長岡工業高等専門学校電気工学科

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• ウィン シュウ

  長岡工業高等専門学校

• マウ ウィン

  長岡工業高等専門学校

• 朝野 章

  長岡技術科学大学

• 木村 亮一

  長岡工業高等専門学校

• 上村 剛

  長岡工業高等専門学校

• 小柳 泰輔

  長岡工業高等専門学校専攻科

• 篠田 俊介

  長岡工業高等専門学校専攻科

• 小林 武

  長岡工業高等専門学校専攻科

• 安井 寛治

  長岡技科大工

• ハニフ モハマド

  長岡技術科学大学

• 坪井 望

  新潟大 工

• 中澤 日出樹

  弘前大学

• 成田 克

  山形大学

• 樋口 健人

  長岡工業高等専門学校専攻科

• 神保 和夫

  長岡工業高等専門学校専攻科

• 鷲尾 司

  長岡工業高等専門学校専攻科

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著作論文

• 溶融法によるCu_2ZnSnS_4結晶の作製(薄膜プロセス・材料, 一般)
• パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
• 同時スパッタプリカーサを用いたCZTS薄膜太陽電池(薄膜プロセス・材料, 一般)
• C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
• C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• 大気開放CVD法によるZnO:Al薄膜の作製(薄膜プロセス・材料,一般)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
• C-6-12 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いて成長したガラス基板上ZnO膜へのスパッタ下地層挿入効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
• CZTS薄膜太陽電池における硫化条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜へのCVD低温バッファー層挿入効果(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-2 高エネルギーH20を用いてスパッタバッファー層上に成長したZnO膜の特性(C-6.電子部品・材料)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いたZnO膜の成長 : ガラス基板上堆積膜の特性改善の試み(材料デバイスサマーミーティング)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果

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