佐藤 魁 | 長岡技術科学大学

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概要

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関連著者

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 加藤 孝弘

  長岡技術科学大学

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学

• 安井 寛治

  長岡技科大

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 加藤 有行

  長岡技術科学大学

• 里本 宗一

  長岡技術科学大学

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• 姉崎 豊

  長岡技術科学大学

• 小柳 貴寛

  長岡技術科学大学

• 片桐 裕則

  長岡工業高専

• 神保 和夫

  長岡工業高専

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 中澤 日出樹

  弘前大学

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学工学部

• 成田 克

  山形大学工学部

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 神保 和夫

  長岡工業高等専門学校

• 里本 宗一

  長岡技科大工

• 里本 宗一

  長岡技科大

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校

• 豊田 英之

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 成田 克

  山形大学

• 豊田 英之

  長岡技術科学大学工学部

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学工学部

• 末光 真希

  東北大学

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著作論文

• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
• C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
• C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
• 触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果
• ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性

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