触媒反応生成高エネルギーH_2Oを用いてガラス基板上に成長したZnO膜の特性 : スパッタ法によるバッファー層挿入効果(酸化物,酸化物エレクトロニクス,一般)
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概要
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白金ナノ粒子表面での水素と酸素の発熱反応を利用して高エネルギーH_2Oを生成、アルキル亜鉛ガスと衝突させ形成した高エネルギーZnOプリカーサを基板に供給、ZnO結晶膜を成長させた。透明導電膜への応用を目指し、ガラス基板上への成長におけるスパッタバッファー層の挿入効果を調べた。その結果、適切な厚さのスパッタバッファー層を挿入することで結晶配向性が改善すると共に、Hall移動度の値が大きくなりバッファー層挿入無しの膜に比べ低抵抗率の膜が得られた。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-06-15
著者
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
片桐 裕則
長岡工業高等専門学校
-
神保 和夫
長岡工業高等専門学校
-
里本 宗一
長岡技術科学大学
-
加藤 孝弘
長岡技術科学大学
-
里本 宗一
長岡技科大工
-
小柳 貴寛
長岡技術科学大学
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学
-
片桐 裕則
長岡工業高専
-
里本 宗一
長岡技科大
-
安井 寛治
長岡技科大
-
神保 和夫
長岡工業高専
-
佐藤 魁
長岡技術科学大学工学部
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