ホットメッシュCVD法によるGaAs(100)上への立方晶GaNの低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
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概要
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GaAsを基板上へのc-GaNをエピタキシャル成長する場合、基板からの砒素の脱離のため、基板温度を高く設定できず、通常のCVD法では難分解性の窒素源を効率よく分解できないという問題がある。我々は難分解性の窒素源を効率よく分解する方法として、タングステン(W)メッシュを用いたHot-Mesh CVD法を用いて、表面積を2倍に増大させることで、成長速度や結晶性が向上した。前回窒化層形成条件を探ったところ、メッシュ温度1200[℃]、NH_3圧力130[Pa]、基板温度550[℃]で窒化後GaN成長した場合、最も立方晶優位で、結晶性の良好なGaN膜を得ることができた。今回この窒化条件を用いて、その後のエピタキシャル成長条件を変えてGaN膜を成長させたところ、基板温度650[℃]、メッシュ温度1400[℃]、NH_3圧力67[Pa]の条件で約8割が立方晶であるGaN膜が得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-11-03
著者
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