分光エリプソメトリーによる液晶界面配向特性の解析
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
本論文では、時間分割分光エリプソメトリー(TRSE)を用いて、ネマティックECBセルにおける表面およびバルク液晶分子の再配向ダイナミクスを解析した結果について報告する。発表では、色素ドープ法と全反射法という2つの反射型TRSE法について、その測定原理、実験の詳細、測定結果を述べ、これら反射型TRSE測定により配向膜近傍の表面分子(〜60nm)の動的応答を、また透過TRSE測定によりバルク液晶分子の動的応答をそれぞれ独立に測定可能になったことを示す。一方4×4マトリックス法を用いたシミュレーション解析は、実験より得られた表面およびバルク液晶分子の電場応答特性を定量的に再現しており、これら反射/透過TRSE法の採用により、LCDの特性を決定する界面配向特性の評価と制御に具体的指針が得られることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-01-22
著者
-
赤尾 賢一
日本分光(株)
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
木村 宗弘
長岡技科大工
-
木村 宗弘
長岡技術科学大学工学部 電気系電子デバイス光波エレクトロニクス工学講座
-
鳥海 弥和
東大院総合
-
鳥海 弥和
東京大学大学院総合文化研究科相関基礎科学
-
赤尾 賢一
日本分光
-
田所 利康
有限会社テクノ・シナジー
-
奥谷 聡
長岡技科大・工
-
田所 利康
日本分光(株)
-
奥谷 聡
長岡技術科学大学工学部
-
木村 宗弘
長岡技術科学大学工学部
-
木村 宗弘
長岡技術科学大学
関連論文
- Si上に形成したGe・SiCドットに対する半球状モデルを用いた構造評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- 日本液晶学会10周年記念座談会 : 日本の液晶研究 過去・現在・未来
- 4. 超臨界CO_2抽出法を用いたトレハロース無水物(form II)の効果的な生成法(平成14年度第48回低温生物工学会研究報告)
- 5. FTIRを用いたトレハロース無水物(form II)の特性に関する研究(平成13年度第47回低温生物工学会研究報告)
- 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
- パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるGaN成長 : ルテニウムコーティッドタングステンメッシュの効果(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-9 RuコートWを用いたHot-mesh CVD法によるGaN膜成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- ワイドギャップ半導体でキャッピングされたGeナノドットの光学特性(薄膜プロセス・材料,一般)
- 温度可変FT-IRによる乾燥ネムリユスリカ幼虫の細胞状態の解析(平成18年度 第52回低温生物工学会年会)
- 26p-Z-6 強誘電性液晶の層構造とフォーカルコニックス
- FTIRを用いたトレハロース無水物 (form II) の特性に関する研究
- PC01 レーザ光束角度振れ検出による表面形状測定装置を用いたLCD評価(2004年日本液晶学会討論会)
- PA04 Investigation of the surface alignment of liquid crystal multilayers evaporated on photoalignment polyimide film
- 2PA144 FTIR及びRaman分光法による昇温過程でのトレハロースの構造解析
- B-3 実験腫瘍薄切切片のフーリエ変換型赤外線分光(FT-IR)顕微鏡による蛋白質二次構造変化部位のバイオイメージング(方法,一般演題(口演発表),第42回 日本組織細胞化学会総会・学術集会)
- 2P019実験腫瘍薄切片の赤外線分光(FTIR)顕微鏡による蛋白質構造変化部位のバイオイメージング
- 3F1415 疾患骨のFT-IRバイオイメージングによる診断
- 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAlドープZnO膜の低抵抗化(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-8 昇温脱離法を用いた3C-SiC成長初期に見られるSi c(4×4)構造の評価(C-6.電子部品・材料)
- 有機ケイ素化合物を用いたSiC成長初期過程の再評価とCVD法への応用(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-4 MMSi を用いた 3C-SiC 成長初期における表面反応過程
- C-6-3 MMSi による Si(001) 上への 3C-SiC 成長初期段階の STM 観察
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法による均質なZnO薄膜の形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法によるSi熱酸化膜上の(100)配向SiC結晶(電子部品・材料,及び一般)
- 水素ラジカルアシストプラズマCVD法によるSiN膜の応力特性
- C-6-7 Wメッシュにより生成した水素ラジカルによるZnO:Al薄膜のアニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 第三電極を有するマグネトロンスパッタリング法によるAZO透明導電膜の水素アニール効果(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-4 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法により作製したZnO薄膜の水素プラズマアニールの効果(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- 第三電極を有するRFマグネトロンスパッタ法によるZnO透明導電膜特性の均一性評価(薄膜プロセス・材料,一般)
- モノメチルゲルマンによるSi(001)-2x1清浄表面上へのGe,SiCナノドットの形成と制御(薄膜プロセス・材料,一般)
- ネムリユスリカの幼虫におけるクリプトビオシスの物理化学的性質 : トレハロースのガラス化の重要性(平成17年度 第51回低温低物工学会研究報告)
- ネムリユスリカの乾燥耐性メカニズムに関する物理化学的研究(平成16年度 第50回低温生物工学会研究報告)
- 1P123 マルチチャンネル赤外顕微鏡を用いたネムリユスリカの乾燥耐性メカニズムに関する物理化学的研究(水・水和/電解質)
- C-6-6 SiCでキャップされたGe・SiC量子ドットの光学特性(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- ホットメッシュCVD法によるSiCOI構造基板の作製とトップSi層厚依存性(薄膜プロセス・材料,一般)
- C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-7 パルス供給Hot-mesh CVD法によるGaN成長(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-7 Hot-mesh CVD法によるSiC/Si上へのAINバッファー層を用いたGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Hot-mesh CVD法によるAlNバッファー層を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長
- 3D08 分光エリプソメトリを用いた高チルト配向セルの液晶セルパラメータとアンカリング強度の測定(2004年日本液晶学会討論会)
- PA12 液晶界面配向秩序とアンカリングの評価(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- ジメチルシランを用いたシリコン基板上への3C-SiCエピタキシャル成長
- PA07 Investigation of alignment of nematic liquid crystal on a micro-patterned polyimide surface
- C-6-11 MMGeを用いて形成したGe・SiCナノドットの構造評価(C-6.電子部品・材料,一般セッション)
- C-6-5 Hot-Mesh CVD法を用いたSiCOI構造形成とMEMS応用(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-10-10 Hot-Mesh CVD法によるSiC低温結晶成長における水素ラジカルの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)
- Hot-Mesh CVD法を用いたSOI基板上への3C-SiC低温エピタキシャル成長
- CS-6-5 ホットメッシュCVD法によるSiC結晶膜の低温成長(CS-6.薄膜の高機能発現をともなう低温成膜技術の最前線,シンポジウム)
- C-6-1 第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるAl, F共ドープZnO薄膜の特性(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- C-6-6 メッシュ状第三電極を有するマグネトロンスパッタ法によるZnO薄膜の堆積(C-6.電子部品・材料)
- ヘリカルアンテナ励起窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
- C-6-12 ヘリカルアンテナを用いた窒素及びアンモニアプラズマの特性と半導体表面窒化特性
- 2A09 SSFLC配向膜表面における分極反転ダイナミクスの解析
- 有機ケイ素化合物を用いたSiCヘテロエピタキシャル成長
- C-6-4 Hot-Mesh CVD法を用いたSiC成長におけるメッシュ温度依存性(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- Hot-Mesh CVD法によるSi基板上への低温SiCエピタキシャル成長(電子部品・材料,及び一般)
- C-6-3 HM-CVD 法を用いた炭化ケイ素膜の作製
- C-6-2 DMS を用いた減圧 CVD 法による SiC on Si エピタキシャル成長
- PC13 改良電極ITモードに関する研究(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PC02 ラビングした配向膜の異方性の分布検出の試み(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PA18 SOITE法を用いた液晶及び配向膜のキャラクタリゼーション(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PA14 種々のΔnを持つ液晶の屈折率波長分散の実用的評価 (2)(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- PA09 表面レリーフグレーティングによる液晶配向(トピカルセッション-液晶物性計測の最前線-, 2005年日本液晶学会討論会)
- 1D12 液晶セル基板におけるラビング軸の同定と界面アンカリング精密測定法(トピカルセッション-ソフトマターと液晶-, 2005年日本液晶学会討論会)
- 斜め入射透過偏光解析法による液晶セルの評価
- PA05 配向膜界面における液晶の Characterization(2004年日本液晶学会討論会)
- Zenithal Bistable Display(ZBD)が拓く双安定型LCDの可能性
- 全反射エリプソメトリーによる界面液晶ダイナミクスの観察
- 3P137 ネムリユスリカの乾燥耐性発現にはトレハロースのガラス化が必要である(水・水和/電解質))
- 1B14 全反射エリプソメトリーによる液晶界面フリッカー現象の解析
- 1B13 エリプソメトリーによるネマティック液晶の電場応答解析
- 2A08 全反射エリプソメトリーを用いた液晶配向膜界面における電場応答フリッカー現象の解析
- 2A07 色素添加反射エリプソメトリーによる極角アンカリング強度の評価
- 分光エリプソメトリーによる液晶界面配向特性の解析
- 3A03 全反射エリプソメトリーによる界面液晶配向の電場応答の解析 (II)
- 3A02 全反射エリプソメトリーによる界面液晶配向の電場応答の解析 (I)
- C-6-3 パルス制御核発生法によるSi(001)-2°off基板上での高密度SiC,Geナノドット形成(C-6.電子部品・材料,一般講演)
- Si(001)表面とモノメチルゲルマンの反応過程における表面構造変化 : Ge埋め込み3C-SiC構造形成へ向けて(薄膜プロセス・材料, 一般)
- 1-9a 色素添加反射エリプソメトリーを用いた界面液晶配向の静的電場応答の解析
- 1-8b 偏光解析法を用いた液晶配向の動的電場応答の評価
- 分光エリプソメトリーによる液晶界面配向特性の解析
- 3PB05 温度可変PMSEの開発と応用
- 有機けい素化合物を用いたトライオードプラズマCVD法による結晶SiC膜の成長 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- DMCSを用いたトライオードプラズマCVD法による空間的アフターグロープラズマの最適化と結晶SiC膜の低温成長
- ヘリカルアンテナを用いたアンモニアプラズマの生成と半導体表面窒化の試み
- 3PB04 分光エリプソメトリによる液晶界面配向の時間分解解析(II) : 色素ドープ反射エリプソメトリの定量解析
- 3PB03 ブリュースター角反射法によるネマチック液晶の界面配向解析
- 3PB02 全反射エリプソメトリー法による液晶界面配向の解析
- 有機ケイ素化合物を用いた減圧CVD法によるAlN上SiCのエピタキシャル成長
- トライオードプラズマCVD法による3C-SiCエピ成長膜特性の高周波電力依存性
- 日本分光学会第46回夏期セミナー 開催報告
- ハイブリッドプラズマ CVD 法による SiN-BN 薄膜の高品質化
- ECRプラズマ励起HRCVD法による微結晶SiC膜の構造
- C-6-3 トライオードプラズマCVD法によるSiC(110)配向膜の低温成長(C-6. 電子部品・材料, エレクトロニクス2)
- Hot-wire CVD法を用いた立方晶窒化ガリウムのエピタキシャル成長
- FTIRから探るトレハロース二水和物の特異な性質