C-6-10 Hot-mesh CVD法による極薄top-Si層を有するSOI基板上へのSiC成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-08-29
著者
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
井上 泰宣
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
安部 和貴
長岡技術科学大学電気系
-
三浦 仁嗣
長岡技術科学大学
-
西山 洋
長岡技術科学大学
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
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