C-6-7 Hot-mesh CVD法を用いたSiC/Si(111)上へのGaN成長(C-6.電子部品・材料,一般講演)
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概要
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- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-03-08
著者
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
高田 雅介
長岡技術科学大学電気系
-
高田 雅介
長岡技科大
-
赤羽 正志
長岡技術科学大学
-
安井 寛治
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学電気系
-
末光 眞希
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
田村 和之
長岡技術科学大学
-
高橋 和希
長岡技術科学大学
-
田村 和之
長岡技術科学大学 工学部 電気系
-
高田 雅介
長岡技術科学大学
-
黒木 雄一郎
長岡技術科学大学工学部
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