Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般)
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概要
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近年,産業への適応性から,SiCバルク基板の超高真空中アニールによるエピタキシャルグラフェンが大変注目を集めている.しかしポストCMOS材料としての適用を考慮すると,Si基板の導入と量産性に優れた成長技術が不可欠である.その要求に応えるため,我々は有機シランガスソースMBEによるSi基板上への3C-SiCエピ成長とその表面改質によるグラフェン形成,いわゆるグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術を開発した.
- 2009-04-16
著者
-
齋藤 英司
東北大学電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大学電気通信研究所
-
伊藤 隆
東北大学電気通信研究所
-
伊藤 隆
東北大学学際科学国際高等研究センター
-
半田 浩之
東北大学電気通信研究所
-
宮本 優
東北大学電気通信研究所
-
吹留 博一
東北大学電気通信研究所
-
末光 眞希
東北大通研
-
末光 真希
東北大学電気通信研究所
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