末光 真希 | 東北大学電気通信研究所

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概要

• 同名の論文著者
• 東北大学電気通信研究所の論文著者

関連著者

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 末光 眞希

  東北大通研

• 中澤 日出樹

  弘前大学大学院理工学研究科

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学

• 中澤 日出樹

  弘前大学理工学部

• 中澤 日出樹

  弘前大学

• 成田 克

  山形大学工学部

• 半田 浩之

  東北大学電気通信研究所

• 成田 克

  山形大学

• 伊藤 隆

  東北大学電気通信研究所

• 伊藤 隆

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 遠藤 哲郎

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 宮本 優

  東北大学電気通信研究所

• 加藤 有行

  長岡技術科学大学

• 加藤 孝弘

  長岡技術科学大学

• 姉崎 豊

  長岡技術科学大学

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学

• 齋藤 英司

  東北大学電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所:jst-crest

• 尾辻 泰一

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 尾辻 泰一

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 尾辻 康一

  九州工大

• 松本 光正

  東北大学電気通信研究所

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学電気系

• 高田 雅介

  長岡技科大

• 赤羽 正志

  長岡技術科学大学

• 吹留 博一

  東北大学電気通信研究所

• 唐澤 宏美

  東北大学電気通信研究所

• 末光 哲也

  東北大学電気通信研究所

• ルリズィー ヴィクトー

  会津大学コンピュータ理工学部

• Ryzhii Victor

  会津大 コンピュータ理工

• 姜 顯〓

  東北大学電気通信研究所

• Ryzhii Victor

  会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest

• 尾辻 泰一

  東北大 電通研

• Kang Hyon‐choru

  東北大電気通信研究所

• リズィー ヴィクトール

  会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest

• 高田 雅介

  長岡技術科学大学

• 安井 寛治

  長岡技科大

• 佐野 栄一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 齋藤 健次

  長岡技術科学大学

• 齋藤 健

  長岡技術科学大学

• 永田 一樹

  長岡技術科学大学

• 成田 克

  九州工業大学工学部

• 今野 篤史

  東北大学

• 豊島 安健

  産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門

• 中嶋 節男

  積水化学工業株式会社

• 豊島 安健

  独立行政法人産業総合研究所エネルギー研究技術研究部門

• リズィー マキシム

  会津大学コンピュータ理工学部

• Ryzhii Maxim

  会津大 コンピュータ理工

• 阿部 俊三

  東北工業大学工学部知能エレクトロニクス学科

• リズィー ヴィクトール

  会津大学コンピュータ物性学講座

• リズィー マキシム

  会津大学コンピュータ物性学講座

• 佐野 栄一

  Jst‐crest

• 豊田 英之

  長岡技術科学大学工学部電気系

• 佐野 栄一

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 豊田 英之

  長岡技術科学大学工学部

• 野中 聡

  旭川医科大学耳鼻咽喉科・頭頸部外科学講座

• 野中 誠

  昭和大学藤が丘病院呼吸器外科

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所・関西研究所・放射光科学研究センター

• 遠藤 哲郎

  東北大学電気通信研究所

• 深田 祐介

  長岡技術科学大学電気系

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 寺岡 有殿

  原研

• 遠田 義晴

  弘前大学理工学部

• 山本 喜久

  スタンフォード大学ギンズトン研究所

• 三浦 創史

  弘前大学理工学部

• 西崎 圭太

  弘前大学理工学部

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学

• 安部 和貴

  長岡技術科学大学電気系

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学電気系

• 末光 眞希

  東北大学学際科学国際高等研究センター

• 山本 喜久

  東北大学電気通信研究所

• 富樫 秀晃

  東北大学電気通信研究所

• 今野 篤史

  東北大学電気通信研究所

• 加藤 篤

  東北大学電気通信研究所

• 吉越 章隆

  (独)日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 山本 喜久

  NTT基礎研

• 渡辺 隆之

  東北大学電気通信研究所

• 吉越 章隆

  日本原子力研究開発機構 量子ビーム応用研究部門

• 小森 常義

  東北大学電気通信研究所

• Ryzhii Victor

  会津大学コンピュータ理工学研究科

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校 電気工学科

• 片桐 裕則

  長岡工業高等専門学校

• 阿部 俊三

  東北工業大学

• 神保 和夫

  長岡工業高等専門学校

• 村重 正悟

  東北大学電気通信研究所

• 稲吉 陽平

  東北大学電気通信研究所

• 上原 剛

  積水化学工業株式会社

• 吉越 章隆

  原研 放射光科学研セ

• 遲澤 遼一

  弘前大学理工学部

• 奥崎 知秀

  弘前大学理工学部

• 佐藤 直之

  弘前大学理工学部

• 末光 眞希

  CREST

• 里本 宗一

  長岡技術科学大学

• 山本 喜久

  NTT電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  東北大学 電気通信研究所

• 山本 喜久

  国立情報学研究所:スタンフォード大学

• 山本 喜久

  日本電信電話株式会社 Ntt物性科学基礎研究所:スタンフォード大学 ギンツトン研究所

• 山本 喜久

  スタンフォード大:nii

• 山本 喜久

  スタンフォード大学 国際共同研究量子もつれプロジェクト

• 山本 喜久

  E.l. Ginzton Laboratory Stanford University

• 尾辻 泰一

  東北大電気通信研究所

• 久保 真人

  東北大学電気通信研究所

• 小前 泰彰

  長岡技術科学大学電気系

• 山本 喜久

  国立情報学研究所情報学プリンシプル研究系

• 高橋 良太

  東北大電気通信研究所

• 末光 哲也

  東北大電気通信研究所

• 久保 真人

  東北大電気通信研究所

• 末光 眞希

  東北大電気通信研究所

• 半田 浩之

  東北大電気通信研究所

• 姜 顯〓

  東北大電気通信研究所

• 福嶋 哲也

  東北大電気通信研究所

• 鷹林 将

  東北大電気通信研究所

• 吹留 博一

  東北大電気通信研究所

• 里本 宗一

  長岡技科大工

• 遲澤 遼一

  弘前大学大学院理工学研究科

• 山本 喜久

  国立情報学研究所:スタンフォード大学:東京大学

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構

• 山本 喜久

  国立情報学研究所量子情報国際研究センター:スタンフォード大学ギンツトン研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所放射光科学研究センター

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究開発機構量子ビーム応用研究部門

• 黒木 雄一郎

  長岡技術科学大学工学部

• 安井 寛治

  長岡技術科学大学工学部

• 片桐 裕則

  長岡工業高専

• 里本 宗一

  長岡技科大

• 神保 和夫

  長岡工業高専

• 佐藤 魁

  長岡技術科学大学工学部

• 吉越 章隆

  日本原子力研究所

• 寺岡 有殿

  日本原子力研究所

• 末光 真希

  東北大学

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著作論文

• 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 赤外干渉法によるSi基板上3C-SiC薄膜形成のリアルタイムモニタリング(TFT(有機,酸化物),一般)
• パルス電界常圧プラズマCVD法を用いたプラスチック基板上Si成長(TFT(有機,酸化物),一般)
• 原子状水素照射によるダイヤモンドライクカーボン膜の化学結合状態の変化
• 有機シランを用いたプラズマCVD法によるダイヤモンドライクカーボン薄膜の膜特性評価
• 間欠ガス供給を用いたホットメッシュCVD法によるSi上GaNエピタキシャル成長
• パルスモードホットメッシュCVD法による窒化物半導体のエピタキシャル成長(薄膜プロセス・材料,一般)
• C-6-8 触媒反応CVD(Cat-CVD)法によるGaN結晶膜の省資源成長技術(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• Si(110)面上熱酸化膜形成時におけるSiサブオキサイド時間発展のXPSリアルタイム測定(ゲート絶縁膜形成およびメモリ技術,ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• Si基板上への高移動度極薄チャネル層形成のためのグラフェン・オン・シリコン(GOS)技術(TFT(有機,酸化物),一般)
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 四角い断面をもった金属酸化物ナノチューブ
• 二酸化モリブデン(MoO2)ナノチューブ研究の現状
• パルス電界常圧プラズマ化学気相成長法によるSi薄膜堆積
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• グラフェン形成のためのSi(110)基板上3C-SiC(111)成長
• パルスモードホットメッシュCVD法によるGaN成長条件の最適化(薄膜プロセス・材料,一般)
• Si(111), (110), (100)基板上3C-SiC薄膜の熱改質によるグラフェン・オン・シリコン形成
• グラフェンをシリコンの上に
• C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• グラフェンをシリコンの上に(レーダー)
• C-6-13 ガスソースMBEによって作製されたGe・SiCドットの発光特性(C-6. 電子部品・材料,一般セッション)
• ガスソースMBEによるSi上の高密度Geナノドットの作製と発光特性(薄膜プロセス・材料,一般)
• ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性
• C-6-11 水索ラジカル照射によるGeナノドットの発光特性への影響(C-6.電子部品・材料)
• ガスソースMBE法による高密度Geナノドット/SiC積層構造の作製とその発光特性

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