尾辻 泰一 | NTTシステムエレクトロニクス研究所

スポンサーリンク

概要

• 同名の論文著者
• NTTシステムエレクトロニクス研究所の論文著者

関連著者

• 尾辻 泰一

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 尾辻 康一

  九州工大

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  東北大学電気通信研究所:jst-crest

• 尾辻 泰一

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 尾辻 泰一

  東北大 電通研

• 尾辻 泰一

  東北大学 電気通信研究所

• ルリズィー ヴィクトー

  会津大学コンピュータ理工学部

• Ryzhii Victor

  会津大 コンピュータ理工

• Ryzhii Victor

  会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest

• リズィー ヴィクトール

  会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest

• 佐野 栄一

  北海道大学大学院情報科学研究科

• 佐野 栄一

  Jst‐crest

• 佐野 栄一

  北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター

• 末光 哲也

  東北大学電気通信研究所

• 末光 眞希

  東北大学電気通信研究所

• 佐野 栄一

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 末光 眞希

  東北大通研

• 渡辺 隆之

  東北大学電気通信研究所

• リズィー マキシム

  会津大学コンピュータ理工学部

• リズィー ヴィクトール

  会津大学コンピュータ物性学講座

• 高塚 裕也

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 西村 拓也

  東北大学電気通信研究所

• 尾辻 泰一

  Ntt 光ネットワークシステム研究所

• Ryzhii Maxim

  会津大 コンピュータ理工

• リズィー マキシム

  会津大学コンピュータ物性学講座

• 末光 真希

  東北大学電気通信研究所

• 堀池 恒平

  東北大学電気通信研究所

• 半田 浩之

  東北大学電気通信研究所

• 高萩 和宏

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 唐澤 宏美

  東北大学電気通信研究所

• 小森 常義

  東北大学電気通信研究所

• 松岡 渉

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 米山 幹夫

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• ミッティン ウラジミール

  ニューヨーク州立大学バッファロー校電気工学科

• 姜 顯〓

  東北大学電気通信研究所

• リズィー ヴィクトール

  会津大学大学院コンピュータ理工学研究科

• 佐藤 昭

  会津大学コンピュータ物性学講座

• 福田 俊介

  東北大学

• 馬籠 伸紘

  東北大学電気通信研究所

• 佐藤 昭

  東北大学電気通信研究所

• リズィー ヴィクトール

  会津大学ナノエレクトロニクス講座

• 佐藤 昭

  東北大学電気通信研究所:jst-crect

• 佐野 栄一

  Hokkaido Univ. Sapporo Jpn

• 福嶋 哲也

  東北大電気通信研究所

• Kang Hyon‐choru

  東北大電気通信研究所

• 瀧川 信一

  パナソニック株式会社 デバイス社 半導体デバイス開発センター

• 佐藤 昭

  東北大学 電気通信研究所

• 山口 聡

  工学院大学工学部電子工学科

• メチアニ ヤーヤ・ムバラク

  東北大学電気通信研究所

• 宮本 優

  東北大学電気通信研究所

• 窪田 健太郎

  北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター

• 米山 幹夫

  Ntt光ネットワーク研究所

• 大西 俊一

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 村田 浩一

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 福田 俊介

  東北大学電気通信研究所

• 赤川 啓介

  東北大学電気通信研究所

• 久保 真人

  東北大学電気通信研究所

• 佐野 栄一

  Ntt

• 瀧川 信一

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 鷹林 将

  東北大電気通信研究所

• RYZHII Victor

  会津大学大学院コンピュータ理工学研究科

• 大西 俊一

  パナソニック株式会社 デバイス社 半導体デバイス開発センター

• 尾辻 泰一

  東北大学

• 村田 浩一

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐野 明秀

  Ntt光ネットワーク研究所

• 伊藤 弘昌

  東北大学 電気通信研究所

• 板屋 義夫

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 永妻 忠夫

  NTT通信エネルギー研究所

• 南出 泰亜

  理研基幹研

• 伊藤 弘昌

  理研基幹研

• 三富 修

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 小川 修一

  東北大学多元物質科学研究所

• 高桑 雄二

  東北大学多元物質科学研究所

• 小川 修一

  東北大学 多元物質科学研究所

• 高桑 雄二

  東北大学 多元物質科学研究所

• 都築 健

  NTTフォトニクス研究所

• 平野 真

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• メチアニ ヤーヤ

  東北大学電気通信研究所

• 谷川 達也

  パナソニック(株)セミコンダクター社 半導体デバイス研究センター

• 三冨 修

  日本ガイシ(株)

• 吹留 博一

  東北大学電気通信研究所

• 野口 一人

  Ntt光エレクトロニクス研究所

• 竹内 博昭

  NTTエレクトロニクス(株)

• 赤沢 幸雄

  NTT LSI研究所

• 永妻 忠夫

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 宮澤 弘

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 三冨 修

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 今井 祐記

  Nttエレクトロニクス株式会社

• 今井 祐記

  Nttフォトニクス研究所

• Ryzhii Victor

  会津大学コンピュータ理工学研究科

• 加藤 和利

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 伊藤 弘昌

  理化学研究所

• 米山 幹夫

  Ntt Lsi研究所

• 菊池 博行

  Nttエレクトロニクス

• 竹内 博昭

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 竹内 博昭

  Nttエレクトロニクス株式会社

• 加藤 和利

  Nttフォトニクス研究所

• 徳光 雅美

  Ntt フォトニクス研

• 徳光 雅美

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 矢板 信

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• 佐藤 憲史

  Ntt光ネットワークシステム研究所

• 山口 聡

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 都築 健

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 松広 一良

  NTTシステムエレクトロニクス研究所

• 尾辻 泰一

  NTT LSI研究所

• 宮澤 弘

  NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 憲史

  NTT光エレクトロニクス研究所

• 菊池 博行

  NTT光ネットワークシステム研究所

• 山口 聡

  日本テレマティーク株式会社

• 令井 祐記

  NTT LSI研究所

• Kim Dae-hyun

  Mit

• DEL ALAMO

  MIT

• 三冨 修

  電電公社

• KHMYROVA Irina

  会津大学

• KNAP Wojtek

  GES-UMR5650,モンペリエ第2大学,CNRS

• 尾辻 泰一

  東北大電気通信研究所

• 津田 祐樹

  東北大学電気通信研究所

• チェン ハイボー

  東北大学電気通信研究所

• エルファティミ アブデルアハド

  東北大学電気通信研究所

• モネア ピー

  CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1

• デラネ ジェイ

  CPMOH, UMR CNRS 5798, Universite Bordeaux 1

• クナップ ウォイチェック

  GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650

• ディアコノワ ニーナ

  GES CNRS-Universite Montpellier 2 UMR 5650

• 佐野 栄一

  Nttシステムエレクトロニクス研究所

• Knap Wojtek

  Ges-umr5650 モンペリエ第2大学 Cnrs

• 高橋 良太

  東北大電気通信研究所

• 末光 哲也

  東北大電気通信研究所

• 久保 真人

  東北大電気通信研究所

• 末光 眞希

  東北大電気通信研究所

• 半田 浩之

  東北大電気通信研究所

• 姜 顯〓

  東北大電気通信研究所

• 吹留 博一

  東北大電気通信研究所

• 大西 俊一

  パナソニック株式会社セミコンダクター社半導体デバイス研究センター

• 堀池 恒平

  東北大学

• ボウバンガ-トムベット ステファン

  東北大学電気通信研究所

• デラネ ジェイ

  Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1

• 南出 泰亜

  理化学研究所

• モネア ピー

  Cpmoh Umr Cnrs 5798 Universite Bordeaux 1

• トムベット ステファン

  東北大学電気通信研究所

• ステファン ボウハンガ

  東北大学

• Boubanga-tombet Stephane

  東北大学電気通信研究所

• 谷本 雄大

  東北大学電気通信研究所

• WANG Yuye

  理化学研究所

• FATEEV Denis

  Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch)

• POPOV Vyacheslav

  Kotelnikov Institute of Radio Engineering and Electronics (Saratov Branch)

• COQUILLAT Dominique

  Universite Montpellier 2 &CNRS

• KANP Wojciech

  Universite Montpellier 2 &CNRS

• 福嶋 哲也

  東北大学

• チャン シルビア

  ペンシルバニア大学

• リズィー ビクトール

  会津大学

• ポポフ ヴィチェスラブ

  ロシア科学アカデミー

• 福嶋 哲也

  東北大学電気通信研究所

• Kanp Wojciech

  Universite Montpellier 2 &cnrs

• 鷹林 将

  東北大学電気通信研究所

• 楊 猛

  東北大学多元物質科学研究所

• Coquillat Dominique

  Universite Montpellier 2 &cnrs

• 伊藤 弘昌

  東北大学電気通信研究所:理化学研究所フォトダイナミックスセンター

• KANP Wojciech

  Universite Montpellier 2 & CNRS, Place Eugene Bataillon

• COQUILLAT Dominique

  Universite Montpellier 2 & CNRS, Place Eugene Bataillon

もっと見る 閉じる

著作論文

• 光学励起グラフェンによるコヒーレントテラヘルツ放射の観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• プラズモン共鳴型エミッタのマルチチップ動作によるテラヘルツ分光測定(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• プラズモン共鳴テラヘルツエミッター光パルス応答のモンテカルロ解析(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• C-4-3 二重格子状ゲート電極を有する高電子移動度トランジスタ構造における二次元プラズモン共鳴を利用したテラヘルツ電磁波の強度変調(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• ナノメートルサイズトランジスタにおける2次元プラズマ発振を利用した放射・検出とそれらのテラヘルツイメージングへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-10-8 HEMT光パルス応答のモンテカルロ解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-13 グラフェンFETを用いたディジタル回路の性能予測(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 0.1μm級GaAs MESFETを用いた超高速識別器IC
• p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
• p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
• 光電気融合技術による超高速光アイパタン測定
• Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
• MQW変調器集積DFBレーザモジュールの40Gbit/S変調動作
• CI-2-5 グラフェンによるテラヘルツ波源(CI-2.テラヘルツ波源デバイスの現状と展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
• C-12-5 マルチチップモジュール技術を用いた40Gbit/sデータディテクタ
• C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 等化増幅系における周波数特性の非平坦性が符号誤り率に及ぼす影響
• InGaAsチャネルHEMTにおける真性・寄生遅延の解析
• InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• InGaAsチャネルHEMTの寄生ゲート遅延に及ぼすゲート電極構造の影響(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
• C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-4-7 二次元共鳴プラズモンを利用したテラヘルツ帯光源デバイス(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• グラフェンデバイスの開発と今後の展望(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
• C-10-9 超周期回折格子型ゲート電極を有するプラズモン共鳴型エミッターの数値解析的検討(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• CS-5-1 ミリ波・テラヘルツ波電子デバイス技術の動向(CS-5.マイクロ波・ミリ波フォトニクスを支えるデバイス・サブシステム技術,シンポジウムセッション)
• C-10-3 プラズモン共鳴型エミッターに及ぼすプラズマ不安定性の影響(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望(学生/教養のページ)
• HEMTのテラヘルツ帯プラズマ共鳴に与える寄生ゲートフリンジ容量の影響(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• C-11-6 グラフェン-チャネルFETを用いた論理回路の解析(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• C-4-4 無給電素子一体型ダイポールアンテナを用いたAlGaN/GaNプラズモン共鳴テラヘルツデテクタ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• C-10-2 Si(001)基板上におけるグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 0.2μm GaAs MESFETによる20 Gb/s級スーパーダイナミック型フリップフロップIC
• グラフェンチャネルトランジスタ
• p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器
• 光励起グラフェンの非平衡キャリア緩和過程とテラヘルツ帯における反転分布(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• テラヘルツ波検出GaNトランジスタの開発 (省エネ創エネを牽引(けんいん)する窒化物ワイドギャップ半導体)
• C-10-16 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• C-10-15 ダイヤモンドライクカーボン薄膜をトップゲート絶縁膜としたグラフェンFET(C-10.電子デバイス,一般セッション)
• 光学励起グラフェンのテラヘルツ誘導増幅放出(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 非対称二重回折格子状ゲート電極を有するInAlAs/InGaAs/InP HEMTを用いた超高感度プラズモニックテラヘルツ波検出器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• グラフェンリボン格子における二次元プラズモンモードの観測(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
• 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• 共振構造導入によるグラフェンテラヘルツ増幅器の高利得化(機能ナノデバイス及び関連技術)
• テラヘルツ波検出GaNトランジスタの開発

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク