p-i-n単層/多層グラフェン構造を用いたテラヘルツ波および赤外線検出器(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
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概要
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p-i-nグラフェン構造におけるバンド間遷移を利用したテラヘルツ波および赤外線検出器の提案と評価を行った。構築されたデバイスモデルを使い、検出器の応答性および検出感度のグラフェン層数、光子エネルギー、印加電圧、温度に対する依存性の計算を行った。結果として、提案された検出器はテラヘルツおよび中赤外スペクトル領域において、量子井戸や量子ドット、あるいはナローギャップ・ギャップレスなバルク半導体を用いた検出器をはるかに越える可能性かあることが示された。
- 2010-02-15
著者
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所:jst-crest
-
尾辻 泰一
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
リズィー マキシム
会津大学コンピュータ理工学部
-
Ryzhii Maxim
会津大 コンピュータ理工
-
ルリズィー ヴィクトー
会津大学コンピュータ理工学部
-
Ryzhii Victor
会津大 コンピュータ理工
-
尾辻 泰一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
リズィー ヴィクトール
会津大学コンピュータ物性学講座
-
ミッティン ウラジミール
ニューヨーク州立大学バッファロー校電気工学科
-
リズィー マキシム
会津大学コンピュータ物性学講座
-
尾辻 泰一
東北大学 電気通信研究所
-
Ryzhii Victor
会津大学コンピュータ理工学研究科:jst-crest
-
尾辻 泰一
東北大 電通研
-
尾辻 康一
九州工大
-
リズィー ヴィクトール
会津大学大学院コンピュータ理工学研究科:jst-crest
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