SiCNゲート絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MISゲートHEMT(化合物半導体テバイス及び超高周波テバイス/マイクロ波一般)
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概要
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HMDSを反応ガスとするPECVDにより堆積したSiCNゲート絶縁膜を導入したAlGaN/GaN MISゲート高電子移動度トランジスタを作製し,その特性を評価したlゲート長0.3μmのSiCN MIS-HEMTにおいて相互コンダクタンス69mS/mmと電流利得遮断周波数(fr)25GHzか得られた.これらは比較のため用意したショットキーゲートデバイスと比べ,良好なものとなっている.この原因を明らかにするため,SiCN膜を堆積する際にHMDSのキャリアカガスとして用いた水素によるクリーニング効果を検証した.結果として,水素アニールによりドレイン電流密度,frが改善され,電流コラプスが抑制されることが示された.
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2013-01-10
著者
-
尾辻 泰一
東北大学電気通信研究所
-
末光 哲也
東北大学電気通信研究所
-
松岡 隆志
東北大学金属材料研究所
-
小林 健悟
東北大学電気通信研究所
-
吉田 智洋
東北大学電気通信研究所
-
片山 竜二
東北大学金属材料研究所
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