四元混晶InAlBNの相分離に関するシミュレーション(結晶成長・特性評価, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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• 現在盛んに研究の進められているGaNを中心とする窒化物半導体の深紫外や赤外領域でのデバイス応用の可能性を広げるために, 格子整合条件下でバンドギャップの選択幅を拡大できる材料として, InGaAlBNを提案した.中でも, 最もバンドギャップ選択幅の広いInAlBNについて, その混晶の混和領域を計算から見積もった.見積もりに用いた手法は, 各種の手法の中で最も簡便な厳密正則溶体近似を用いた.本計算に必要な相互作用パラメータについては, 格子定数差から計算できるdelta-lattice-parameterモデルを用いて算出した.その結果, InN, AlN, およびBNの近傍で混和することがわかった.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2005-10-07

著者

• 木村 健司

  東北大学金属材料研究所

• 松岡 隆志

  東北大学金属材料研究所

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