グラフェンチャネルFET : 新たな高速デバイスの可能性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2010))
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概要
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グラフェンとは単層のグラファイトを意味し,現在最も盛んである研究領域の一つである.これはグラフェンが高いキャリア移動度を実現可能な材料であり,次世代のトランジスタの材料として注目されているためである.これを実現するためには,材料の特性と共に,既存の半導体プロセスとの親和性も重要な要素となる.従って,高品質のエピタキシャルグラフェンをシリコン基板上に形成する技術が重要となり,その実現のために我々は,まずシリコン基板上にSiCをエピタキシャル成長し,その表面を高温真空下でグラフェン化する技術を開発してきた.また,得られたシリコン基板上エピタキシャルグラフェンを用いたバックゲート型,及び,トップゲート型FETを作製し,その動作を確認した.
- 2010-06-23
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