HEMTにおける光応答特性
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概要
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高移動度トランジスタ(HEMT)の光応答特性を議論する。0.1μm-InAlAs/InGaAs/InP HEMTをサンプルとして用い、光源には光通信への応用から1, 55μm帯レーザー光を用いた。同素子のI-V特性に見る光強度依存性について測定した。またその動作帯域の特定のために電気光学効果サンプリングを用いた高周波測定を併せて行った。I-V特性からはHEMTの0.125A/W程度の光電流を確認するに至ったが、一方でその応答帯域は数GHzに留まった。こうした結果を説明するキャリア・ダイナミクスを明らかにしつつ、以上の評価結果について報告する。またHEMTの光電気変換素子としての多機能性を有効に利用するシステムの検討を進めた。最後にその帰結に言及する。
- 2000-10-30
著者
-
末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
-
綱島 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
東北大学電気通信研究所
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
綱島 聡
NTTフォトニクス研究所
-
木村 俊二
NTTフォトニクス研究所
-
楢原 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
NTTフォトニクス研究所
-
楢原 浩一
山形大学工学部
-
綱島 聡
NTTフォトニクス研
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