微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
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概要
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AFMによる表面観察と、電子ビーム描画を用いた微小電極形成技術を組み合わせることにより、転位の存在と電極特性との相関を直接的に評価した。厚さ2μmのn-GaNに直径0.35μm径のAu/Niショットキー電極を蒸着した。導電性プローブを用いたAFMでドットの位置確認、およびI-V測定を行った。順方向特性に直線性がみられ、良好なI-V特性が得られた。酸により電極を溶解した後、再びAFM測定を行い、各電極の痕跡から電極内の転位の有無を判断し、I-V特性と一対の対応づけを行った。転位の存在は微小電極のI-V特性に影響を及ぼさないことが分かった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
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末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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塩島 謙次
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
小椋 充将
京大工学研究科材料工学専攻
-
塩島 謙次
Ntt フォトニクス研究室
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