高電子移動度トランジスタの高速性能極限の追求
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
InP系材料を中心とした,高電子移動度トランジスタ(HEMT)の高周波特性の基礎,測定,及び解析について解説する.高周波特性を支配するトランジスタの遅延時間は,ゲート下におけるキャリヤの走行に起因する真性遅延と,ゲート外における寄生抵抗,寄生容量等がもたらす充電時間等による寄生遅延に大別できる.ゲート長が大きい場合は真性遅延が素子の遅延時間の主要部分であったのだが,それが100nmを下回るまで微細化が進んだ現在では,むしろ寄生遅延が真性遅延を上回る現象が生じている.それを示すInP系HEMTにおける実際の解析例を紹介し,それぞれの遅延時間の傾向と今後の性能向上に向けた展望について解説する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-01
著者
関連論文
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- CS-7-1 光クロックトランジスタアレイ(OCTA)を用いた高速非同期光ラベル処理技術(ELEX Best Paper Award受賞記念講演,CS-7.変復調用集積光デバイスの現状と展望,シンポジウム)
- B-12-8 非同期任意長光パケットに対するエラーフリーラベル交換動作(B-12.フォトニックネットワーク,一般講演)
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- 30nmゲートInAlAs/InGaAs HEMTとその高周波特性
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTのDC、RF特性と基板結晶性との相関(特別セッションテーマ: GaN電子デバイスはどこまで特性を伸ばすのか?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 微小ショットキー電極を用いたGaN結晶の評価 : 低キャリアn-GaNの結晶欠陥とI-V特性との相関
- 短ゲートAlGaN/GaN HEMTの作製と電気的・光学的評価
- 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTの作製と評価
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
- チャネル直下に埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 微小ショットキー接触によるGaN結晶の評価 : 転位とI-V特性との相関
- SC-7-12 埋め込みp層を有したAlGaN/GaN HEMTのDC、及びRF特性
- 高電子移動度トランジスタの高速性能極限の追求