InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
超高速回路応用に開発した0.1μm-InAlAs/InGaAs HEMTのドレインコンダクタスの低周波分散について、その分散量を定量化し、バイアス依存性、基板電流依存性との関係を詳細に評価した。衝突イオン化とドレインコンダクタンス低周波数分散の関係についてまとめ、その発現機構、モデル化について議論する。モデル計算から周波数分散のバイアス依存性は、相互コンダクタンスのバイアス依存性に強く影響を受けていることが示された。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-01-10
著者
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
Ntt フォトニクス研
-
山根 康郎
Nttフォトニクス研究所
関連論文
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器(集積エレクトロニクス)
- ミリ波帯光・電子デバイスとその無線・センシングシステムへの応用(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ : 120GHz帯広帯域無線の実用化へ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- 120GHz帯10Gbti/s無線伝送用BPSK変復調MMIC(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサーのUWB応用(C-10. 電子デバイス, エレクトロニクス2)
- 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック1/4N分周器
- C-10-1 80 Gbit/s InP HBT 1:4デマルチプレクサIC(C-10.電子デバイス,一般講演)
- InP DHBTによる150GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- InP DHBT による150 GHz超高速分周器(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線
- C-2-20 120GHz帯10Gbit/sデータ伝送用低雑音増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-95 HEMT MMICを使用した120GHz帯ミリ波無線による10Gbit/sデータ伝送(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- C-10-16 遅延制御による偶数段リング構成ダイナミック分周器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-18 130GHz帯アンテナ一体型ミリ波イメージングMMIC(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- CS-2-7 F帯ミリ波無線受信機用チューナブルフィルタ(CS-2.可変マイクロ波回路,シンポジウム)
- C-14-16 120GHz帯ミリ波無線の伝送特性評価(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- R&Dホットコーナー 120GHz帯無線データ通信へ向けたミリ波集積回路技術
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- ミリ波MMIC技術とその120GHz帯無線システムへの応用 : 10Gbit/s時代を迎えた広帯域無線通信
- C-2-21 V帯広帯域InP HEMT周波数逓倍器(C-2. マイクロ波A(能動デバイス), エレクトロニクス1)
- C-10-9 ダイナミック型識別器のリタイミング特性改善
- MIS構造AlGaN/GaN HFETにおける絶縁膜/AlGaN/GaN層構造設計によるデバイス高性能化(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
- C-2-26 高耐圧InP HEMTによる125GHz,140mW出力ミリ波パワーアンプ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- B-5-134 120 GHz帯ミリ波無線の降雨減衰特性(B-5.無線通信システムB(ワイヤレスアクセス),一般セッション)
- CI-1-6 120GHz帯無線リンクとモジュール技術(依頼シンポジウム,CI-1.高速ミリ波無線通信用デバイス・IC技術の現状と展望,ソサイエティ企画)
- C-2-85 120GHz帯無線の偏波多重通信に向けた基礎検討(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- CS-11-2 ミリ波・テラヘルツ波無線通信の最近の動向(CS-11.テラヘルツ波技術の進展と実用化への展望,シンポジウム)
- C-14-1 屋外伝送実験に向けた120 GHz帯ミリ波無線の開発(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般講演)
- C-2-53 イメージング用120GHz帯モノリシック集積型アンテナアレー(C-2.マイクロ波B(マイクロ波・ミリ波受動デバイス),一般セッション)
- 高速InP HBTにおけるエミッタ電極の長期通電での劣化現象と高耐熱金属導入による高信頼化(電子デバイスの信頼性,信頼性一般)
- 第19回インジウム燐および関連材料国際会議 (IPRM2007) 報告
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- InP HEMTを用いた超小型広帯域8x8スイッチマトリクスMMIC
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- C-2-25 デバイスレベル負帰還回路を用いたマイクロ波帯低歪みパワーFET
- B-5-255 高出力増幅器におけるOFDM変調波入力時の歪特性とIM3/IM5の相関に関する一検討
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- CS-10-3 ミリ波応用に向けたInP HEMT技術(CS-10.ミリ波・サブミリ波信号検出技術の現状と展開,シンポジウム)
- 横方向微細化InP系HEMTの作製技術と素子特性(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- タングステンをオーミック電極に用いた新たな横方向微細化技術によるInP系HEMTの特性向上
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 75-110GHz利得可変InP-HEMT導波管アンプモジュール : ミリ波分光,ミリ波イメージング装置等へ向けて(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- CS-3-2 140GHz帯ミリ波イメージング装置(CS-3.環境・エネルギー分野の発展に貢献するマイクロ波技術,シンポジウムセッション)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 120GHz帯10Gbit/sワイヤレス通信用ミリ波MMIC導波管モジュール : 非圧縮HD映像の多重伝送, ストレージ間データ転送装置へ向けて(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 高出力AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTミキサー(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 感光性樹脂を用いたCuダマシンプロセスによるオンチップ厚膜配線
- C-2-45 感光性樹脂を用いた新厚膜プロセスによるオンチップRF用配線
- 選択W-CVDプロセスを導入した完全空乏型極薄膜CMOS/SIMOXゲートアレイLSI
- B-5-124 120GHz帯無線による10Gbit/sデータの5km伝送(B-5.無線通信システムB(無線アクセスネットワーク),一般セッション)
- 極薄膜MOSFET/SIMOXのソース・ドレイン上に形成したW層の寄生バイポーラ効果への影響
- ソース/ドレイン上に選択W層を形成した1/4ミクロン級極薄膜MOSFET/SIMOXの特性
- 水素パッシベーションによるp^+-SiのHF処理特性改善とそのW選択成長への応用
- C-10-19 RTD多値量子化器を用いたΔΣ変調器の基本設計
- 高電流密度で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(化合物半導体デバイスの高信頼化技術論文)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- 動作電流密度2mA/μm^2以上で高信頼性を有するレッジ付きInP HBT(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- InP HBTとデジタルICsの高温通電による特性変動の相関(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
- C-10-2 InP HBT を用いた 10Gbit/s RZ 変調器ドライバ
- 配線用電解めっきAuにおけるセルフアニール現象(化合物半導体デバイスのプロセス技術)
- C-10-20 AlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの作製と評価(C-10.電子デバイス)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗変化のバイアス依存性と回路の信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- InP HEMTのドレイン抵抗増大のバイアス加速とICの低電圧化による寿命の向上(AWAD2003 : 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショツプ)
- C-14-6 InP HEMTミリ波発振器からの60GHz帯信号の光による変調(C-14.マイクロ波フォトニクス,一般セッション)
- C-2-83 120GHz帯無線リンク用10Gbit/s QPSK変復調モジュール(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置),一般セッション)
- CS-8-1 超100GHz InP HEMT回路(CS-8.超100ギガ・デバイスおよびシステム技術の将来展望,シンポジウムセッション)
- 水素パッシベーション法によるW-選択CVD技術と浅接合コンタクト形成への応用
- InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて(テラヘルツ帯応用を開拓する材料・デバイス・システム技術)
- 100GHzミリ波アナログMMIC技術 : ミリ波分光, ミリ波データ通信, ミリ波イメージング装置等へ向けて
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス 周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- InAlAs/InGaAs HEMTにおけるドレインコンダクタンス周波数分散現象の解析 : 衝突イオン化モデルによる現象の説明
- B-5-140 OFDM変調波入力時のパワーアンプ歪の改善に関する一検討 : 2-Tone入力時の相互変調歪補償との相関
- C-10-9 W帯ギルバートセルミクサ(C-10.電子デバイス,一般講演)
- 0.15μmデュアルゲートAlGaN/GaN HEMTミキサー(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-14-11 10 ギガビット無線リンク用高指向性フォトニックエミッタ
- CP-1-3 120GHz帯10-Gbit/sミリ波無線通信装置(CP-1. ギガビットワイヤレス通信技術の今後を考える,パネルセッション,ソサエティ企画)
- C-2-98 140GHz帯ミリ波イメージング装置の冬季屋外試験(C-2.マイクロ波C(マイクロ波・ミリ波応用装置,一般セッション)
- C-10-17 高周波用スタック型キャパシタの高Q値化(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-2-14 分布ミキサにおける方向性結合作用を用いたローカルリーク抑制法(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- F帯方形導波管の気密封止構造
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 光技術及び電子回路技術を使用した屋外用120GHz帯無線技術
- 140GHz帯パッシブイメージング用受信ICとアンテナ一体型サブアッセンブリ : 小型パッシブイメージングシステムへ向けて
- F帯方形導波管の気密封止構造
- 光技術及び電子回路技術を使用した屋外用120GHz帯無線技術(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 光技術及び電子回路技術を使用した屋外用120GHz帯無線技術(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 光技術及び電子回路技術を使用した屋外用120GHz帯無線技術(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
- 光技術及び電子回路技術を使用した屋外用120GHz帯無線技術(マイクロ波フォトニクス技術,一般)