InP HEMTにおける光応答と高速光信号検出・変換素子への応用(超過高速伝送・変復調技術,超高速光・電子デバイス技術,広帯域WDMデバイス技術,受光デバイス,一般)
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概要
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ミリ波帯で優れた特性を持つInP HEMT (High Electron Mobility Transistor, f_T=170GHz, f_<max>=350GHz)にレーザー光を集光して照射し,高速光信号検出素子・信号変換素子としての可能性を調べた.素子表面のゲート電極近傍に60μW程度のCWレーザー光を照射したところ,ドレイン電流の増加(〜0.1mA),マイクロ波小信号利得の増加(〜2dB),およびゲートキャパシタンスの増加(〜1fF)を確認した.さらに,マイクロ波帯強度変調光を照射したところ,光信号の検出,および局部発振信号の入力よる検出光信号の周波数変換を確認した.これらの特性を利用したHEMTを用いたアンテナ集積型高速光信号検出素子,光信号変換素子を提案する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-10-05
著者
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小杉 敏彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
岡村 康行
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
村田 博司
大阪大学大学院基礎工学研究科電子光科学領域
-
小杉 敏彦
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
岡村 康行
大阪大学大学院 基礎工学研究科システム創成専攻電子光科学領域
-
岡村 康行
阪大・基礎工
-
小林 昇代
大阪大学大学院基礎工学研究科
-
村田 博司
大阪大学大学院基礎工学研究科
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