高性能InP/InGaAs DHBTデバイス技術
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概要
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40Gbit/s光通信ICへの応用を目指して, InP DHBTのマニュファクチャビリティーについて検討を行った。炭素ドープInGaAsベースを採用し, InGaAs/InGaAsP/InP傾斜コレクタのバンドプロファイルを最適化することによって, 均一で高性能なDHBTを実現した。試作した素子は電流利得30,コレクタ耐圧BV_<CEO>8V以上を示し, 電流密度が1mA/μm^2まで理想的なターンオン特性を示した。3インチ基板上に作製した68個の高周波トランジスタからは, V_<CE>1.2V, J_c0.5mA/μm^2というバイアス条件で, f_1131±2GHz, f_<max>191±15GHzという良好な値が得られた。さらにECLゲートからなる1/2分周器を試作し40GHz以上の最高動作周波数を確認した。この値は, 従来のSHBTと比べて遜色ない値である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-09
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 清
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
佐野 栄一
Jst‐crest
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
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