MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
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概要
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- 2012-01-04
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
星 拓也
日本電信電話
-
井田 実
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
杉山 引樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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