高速サブミクロンInP HBTのエミッタ・ベース接合の信頼性(第18回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(ASAD2010))
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概要
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サブミクロンエミッタを持つ高速InP HBTについて、高速動作に必須な高電流密度動作における信頼陛を検討した。バイアスストレスによる加速試験は、電流密度を1OmA/μm^2までの条件で通電して評価した。電流利得(β)の減少による寿命判定の結果、従来の表面劣化モード(活性化エネルギー〜1.7eV)と異なるモードが出現し、1.1eVの活性化エネルギーが得られた。このモードはエミック・ベース接合の劣化に伴なうトンネル再結合電流の発生に関連することが示唆された。高電流密度動作ではエミッタ・ベース界面品質が信頼陛の支配要因となることが示された。
- 2010-06-23
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
柏尾 典秀
NTTフォトニクス研究所,日本電信電話株式会社
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
栗島 賢二
NTTフォトニクス研
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