InP/InGaAsHBTプロセスに完全整合する超広帯域pin-PD
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概要
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受光素子を増幅器等のトランジスタ回路と同一の半導体基板上にモノリシック集積化することは、光受信装置の小型化、経済化、高性能化に有効である。ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)のベース/コレクタ層は光吸収層として利用することも可能でありHBTのエピタキシャル層成長、製作プロセスだけでHBTと同時にpin-PDを製作することができる。我々は、HBTの高性能化とpin-PDの高速化を両立できる新しいダブルへテロ接合HBT(DHBT)を提案し、HBT及び受光OEICでその有効性を実証したが、今回DHBTによるpin-PD広帯域化の効果を初めて定量的に明らかにしたので報告する。合わせてフォトトランジスタ構造を利用することにより、更に広帯域化できることを示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
著者
-
小川 博世
Crl
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
-
松岡 裕
アンリツ株式会社
-
山幡 章司
Nttエレクトロニクス株式会社
-
上綱 秀樹
Ntt フォトニクス研
-
小川 博世
NTT無線システム研究所
-
上綱 秀樹
NTT無線システム研究所
-
松岡 裕
NTTLSI研究所
-
山幡 章司
NTTLSI研究所
-
中島 裕樹
NTT無線システム研究所
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