InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
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概要
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InP/InGaAs HBTを用いて低電力1 : 16 DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICを設計・試作した。ICは、素子特性の均一性に優れたノンセルフアラインHBTプロセスによって試作した。1 : 16 DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICは、それぞれ約1200および約460トランジスタを集積している。いずれのICも10Gbit/sにおいて、すべてのデータ出力でエラーフリー動作を確認した。1 : 16 DEMUX ICおよびCDR/1 : 4 DEMUX ICは、それぞれ1Wおよび950mWと極めて低い消費電力で10 Gbit/sの動作を達成した。以上の結果は、InP/InGaAs HBTは高集積・低電力ICを製作するための有力なデバイス技術であることを示している。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-01-11
著者
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 清
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
佐野 栄一
Jst‐crest
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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