超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
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概要
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InP/InGaAsヘテロ構造単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)の高速化について検討した。光吸収層に階段状ポテンシャルを設けることによる電子引き抜き効果で、素子応答速度を向上できることを明らかにした。得られた3dB帯域152 GHzは1.5ミクロン帯フォトダイオードとしては、最高速の値である。また、光吸収層の不純物濃度に依存して動作時に発生する内部電界により素子応答速度が向上する効果(セルフバイアス効呆)を見出した。最後に、UTC-PDと識別回路からなる光受信器の40 Gb/s動作を紹介する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-11-05
著者
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
萩本 和男
NTT光ネットワークシステム研究所
-
宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
萩本 和男
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
-
渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
-
清水 直文
Ntt未来ねっと研究所
-
渡邊 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
清水 直文
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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