渡辺 則之 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
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渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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古田 知史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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古田 知史
NTTフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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萩本 和男
NTT光ネットワークシステム研究所
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宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
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萩本 和男
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
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清水 直文
Ntt未来ねっと研究所
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清水 直文
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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宮本 裕
NTT未来ねっと研究所
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村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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北林 博人
NTTフォトニクス研究所
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清水 直文
NTTフォトニクス研究所
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山林 由明
Ntt光ネットワークシステム研究所
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渡邉 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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清水 直文
NTT光ネットワークシステム研究所
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山本 由明
Ntt光ネットワークシステム研究所
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森 邦彦
Ntt光ネットワークシステム研究所
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森 邦彦
日本電信電話株式会社ntt光ネットワークシステム研究所
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石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
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伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
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児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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村口 正弘
Nttエレクトロニクス
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伊藤 弘
NTTフォトニクス研究所
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渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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神田 淳
Nttフォトニクス研究所
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山林 由明
NTT光ネットワーク研究所
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村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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石橋 忠夫
NTTフォトニクス研究所
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森 邦彦
NTT光ネットワ-ク研究所
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児玉 聡
Ntt フォトニクス研
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木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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児玉 聡
NTTフォトニクス研究所
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木村 俊二
NTTフォトニクス研究所
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佐野 栄一
NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
Ntt フォトニクス研
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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野坂 秀之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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石井 清
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
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山根 康朗
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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佐野 栄一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
清水 直文
NTTネットワークシステム研究所
-
森 邦彦
NTTネットワークシステム研究所
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山林 由明
NTTネットワークシステム研究所
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野坂 秀之
日本電信電話株式会社
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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村田 浩一
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
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宮本 裕
Ntt 未来ねっと研
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話
-
栗島 賢二
日本電信電話
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野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
著作論文
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- 40Gbit/s光通信用 Digital OEIC
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効果と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- C-4-12 InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの高周波特性から求めた光吸収層内での電子拡散係数
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール