InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの量子効率と高周波応答
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概要
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InP/InGaAs UTC-PDの量子効率と3dB帯域を評価した。得られた1.6μmまでのフラットな効率は、超高速エレクトロニクスと広帯域ファイバアンプを活用した高密度伝送方式においても、UTC-PDが十分に適応可能であることを示している。また、UTC-PDの帯域は光吸収層での少数電子の拡散が支配的で、p-InGaAsではその拡散係数が従来の計算値よりも2倍程度大きく、多数キャリアの拡散係数に近い値であることを示した。実験で求めたの吸収係数及び少数電子の拡散係数を元に、光吸収層厚を変えた場合のInP/InGaAs UTC-PDの量子効率及び3dB帯域を予想した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-19
著者
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
-
清水 直文
Ntt未来ねっと研究所
-
山林 由明
NTT光ネットワーク研究所
-
山林 由明
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
森 邦彦
NTT光ネットワ-ク研究所
-
渡邉 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
清水 直文
NTT光ネットワークシステム研究所
-
山本 由明
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
森 邦彦
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
森 邦彦
日本電信電話株式会社ntt光ネットワークシステム研究所
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
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