MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
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概要
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InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサの動作評価を行った。ミキシングの評価は素子のバイアス、光IF(100MHz), LO(10GHz)信号パワーを変化させ行った。得られた最大RF信号パワーは-23dBmでpin-PDのもの(-40dBm)に比べ十分大きいことが分かった。最大ミキシングパワーに寄与する要因は飽和領域における電流増幅特性の非線形性によるものと考えられる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-06-23
著者
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
-
松岡 裕
アンリツ株式会社
-
山幡 章司
Nttエレクトロニクス株式会社
-
伏見 浩
Nttフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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