古田 知史 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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概要
関連著者
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古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
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古田 知史
NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
Ntt フォトニクス研
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古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
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伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
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児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
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古田 知史
日本電信電話株式会社 NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
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村本 好史
Nttフォトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊藤 弘
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
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村口 正弘
Nttエレクトロニクス
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渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
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神田 淳
Nttフォトニクス研究所
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石橋 忠夫
NTTフォトニクス研究所
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
吉野 薫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
Nttエレクトロニクス
-
村本 好史
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
NTTフォトニクス研究所
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大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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清水 直文
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
渡邊 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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中島 史人
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
東京大学大学院農学生命科学研究科
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吉松 俊英
Ntt未来ねっと研究所日本電信電話株式会社
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吉松 俊英
Nttフォトニクス研究所
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萩本 和男
NTT光ネットワークシステム研究所
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宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
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佐藤 憲史
日本電信電話株式会社NTT未来ねっと研究所
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渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
萩本 和男
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
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神田 淳
Nttワイヤレスシステム研究所
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吉松 俊英
日本電信電話株式会社nttフォトにクス研究所
-
村口 正弘
NTTワイヤレスシステム研究所
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佐藤 憲史
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
-
児玉 聡
NTTフォトニクス研究所
-
佐藤 憲史
日本電信電話(株)NTT未来ねっと研究所
-
吉松 俊英
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伏見 浩
Nttフォトニクス研究所
-
入戸野 巧
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
大野 哲一郎
日本電信電話株式会社NTrフォトニクス研究所
-
福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
宮本 裕
NTT未来ねっと研究所
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若月 温
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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高橋 亮
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所NTT未来ねっと研究所
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北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
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伊賀 龍三
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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高畑 清人
Ntt フォトニクス研
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村田 浩一
日本電信電話株式会社
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北林 博人
NTTフォトニクス研究所
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清水 直文
NTTフォトニクス研究所
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松岡 裕
Nttフォトニクス研究所
-
松岡 裕
アンリツ株式会社
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高畑 清人
NTTフォトニクス研究所
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清水 直文
Ntt未来ねっと研究所
-
高橋 亮
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
山幡 章司
Nttエレクトロニクス株式会社
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伊藤 敏洋
Ntt フォトニクス研
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
大野 哲一郎
日本東信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊賀 龍三
日本東信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
近藤 康洋
日本東信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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吉野 薫
日本東信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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古田 知史
日本東信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
日本東信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 敏洋
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
伊賀 龍三
日本電信電話株式会社 NTTフォトにクス研究所
-
村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
清水 達也
日本電信電話株式会社NTTアクセスサービスシステム研究所
-
福島 誠治
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
Ntt未来ねっと研究所
-
佐藤 具就
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 猛
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
村本 好文
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
福島 誠治
NTTフォトニクス研究所
-
大野 哲一郎
NTTフォトニクス研究所
-
深野 秀樹
NTTフォトニクス研究所
-
村口 正弘
NTT未来ねっと研究所
-
佐野 栄一
NTT未来ねっと研究所
-
木村 俊二
Ntt未来ねっと研究所
-
清水 直文
NTT光ネットワークシステム研究所
-
神田 淳
NTT未来ねっと研究所
-
木村 俊二
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
NTTフォトニクス研究所
-
永田 公一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
清水 達也
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTT エレクトロニクス
-
古田 知史
NTT フォトニクス研究所
-
清水 直文
NTT フォトニクス研究所
-
清水 達也
日本電信電話株式会社 日本未来ねっと研究所
著作論文
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- BCI-1-8 超高速・高出力単一走行キャリア・フォトダイオード(UTC-PD)技術の最新動向(BCI-1.光通信における最新極限技術,ソサイエティ企画)
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- B-5-146 60GHz帯ファイバ無線用モノリシック集積化ミリ波エミッター
- PBC-1-4 フォトニック・マイクロ/ミリ波ソース
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- MW2000-28 / OPE2000-28 InP/InGaAsダブルヘテロ構造フォトトランジスタを用いた光電変換ミキサ
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- p-InGaAs/i-InGaAs光吸収層を有する高速・高感度フォトダイオード(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,一般)
- C-14-9 モード同期レーザと符号化用EA変調器をモノリシック集積した光ミリ波送信器(C-14. マイクロ波フォトニクス, エレクトロニクス1)
- C-14-10 単一走行キャリア・フォトダイオードを用いたTHz波の発生(C-14.マイクロ波フォトニクス)
- テラヘルツ帯遠隔分光センシングシステム (テラヘルツ技術特集) -- (委託研究)
- C-4-24 半導体モード同期レーザを用いた160GHz光クロック信号再生(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス)
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- BCS-1-8 超高速受光デバイス技術の最新動向(BCS-1.超高速光・ワイヤレス通信を支える次世代変復調方式・コンポーネント技術,シンポジウムセッション)
- C-4-29 単一走行キャリア端面人射屈折型フォトダイオードの偏波無依存化
- C-3-124 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別回路からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- C-2-17 改良型LOXI-FETによるGaAs MMICスイッチの検討
- C-4-12 InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの高周波特性から求めた光吸収層内での電子拡散係数
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- LOXI-MESFETを用いた19GHz帯GaAs FETスイッチの検討
- MMICスイッチ用低Cds MESFETの高周波特性
- 半導体モード同期レーザの再生モード同期を用いた160Gbit/s信号からの80GHz光クロック信号再生(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 半導体モード同期レーザの再生モード同期を用いた160Gbit/s信号からの80GHz光クロック信号再生(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- 160GHzアクティブモード同前半導体レーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- B-10-120 モノリシック集積化 PD-EAM による光サンプリング
- 3 単一走行キャリア・フォトダイオード
- 3 単一走行キャリア・フォトダイオード
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 単一走行キャリア・フォトダイオード