渡邉 則之 | 日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社
-
渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
-
渡邊 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
渡邊 則之
Nttフォトニクス研究所
-
渡辺 則之
NTTフォトニクス研究所
-
栗島 賢二
日本電信電話
-
井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
-
小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
-
井田 実
日本電信電話
-
横山 春喜
日本電信電話
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
-
廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
-
榎木 孝知
日本電信電話株式会社
-
古田 知史
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所索
-
横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
横山 春喜
日本電信電話株式会社
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
石井 清
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
野坂 秀之
Nttワイヤレスシステム研究所
-
野坂 秀之
日本電信電話株式会社
-
野坂 秀之
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
八木 拓真
NTTアドバンステクノロジ株式会社
-
渡邉 則之
Nttフォトニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
渡邊 則之
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
古田 知史
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
-
柏尾 典秀
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
福山 裕之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
菅原 裕彦
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
NTTフォトニクス研究所
-
山根 康朗
NTTエレクトロニクス(株)
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
萩本 和男
NTT光ネットワークシステム研究所
-
宮本 裕
Ntt光ネットワークシステム研究所
-
中島 裕樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
中島 裕樹
NTTフォトニクス研究所
-
萩本 和男
日本電信電話株式会社 Ntt未来ねっと研究所
-
菅原 裕彦
NTTアドバンステクノロジ(株)
-
佐野 公一
日本電信電話株式会社
-
清水 直文
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
福山 裕之
Nttフォトニクス研究所
-
福山 裕之
Nttシステムエレクトロニクス研究所
-
柏尾 典秀
Nttフォトニクス研究所
-
山根 康朗
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研究所
-
佐野 公一
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
宮本 裕
NTT未来ねっと研究所
-
村田 浩一
NTTフォトニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話(株)フォトニクス研究所
-
北林 博人
日本電信電話株式会社フォトニクス研究所
-
北林 博人
NTTフォトニクス研究所
-
清水 直文
NTTフォトニクス研究所
-
徳光 雅美
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:(現)nttエレクトロニクス
-
佐野 栄一
Jst‐crest
-
栗島 賢二
Nttフォトニクス研究所
-
西村 一己
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
西村 一巳
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社
-
西村 一巳
日本電信電話(株) Nttフォトニクス研
-
西村 一巳
日本電信電話(株)NTTフォトニクス研
-
伊藤 弘
北里大学自然科学教育センター
-
児玉 聡
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
村口 正弘
Nttエレクトロニクス
-
杉田 憲一
福井大学工学部
-
山幡 章司
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
伊藤 弘
NTTフォトニクス研究所
-
山本 〓勇
福井大学工学部
-
村田 浩一
日本電信電話株式会社
-
神田 淳
Nttフォトニクス研究所
-
山幡 章司
NTTフォトニクス研究所
-
村田 浩一
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
石橋 忠夫
NTTフォトニクス研究所
-
児玉 聡
Ntt フォトニクス研
-
木村 俊二
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
木村 俊二
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
児玉 聡
NTTフォトニクス研究所
-
木村 俊二
NTTフォトニクス研究所
-
佐野 栄一
NTTフォトニクス研究所
-
古田 知史
Ntt フォトニクス研
-
重川 直輝
Ntt フォトニクス研
-
石橋 忠夫
NTTエレクトロニクス株式会社
-
重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
-
重川 直輝
NTTフォトニクス研
-
内田 昌宏
日本電信電話株式会社,NTTフォトニクス研究所
-
橋本 明弘
福井大学工学部
-
橋本 明弘
福井大学大学院工学研究科
-
内田 昌宏
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社
-
山本 〓勇
福井大学大学院工学研究科
-
清水 直文
Ntt未来ねっと研究所
-
清水 直文
NTT光ネットワークシステム研究所
-
村田 浩一
日本電信電話(株)nttフォトニクス研究所
-
宮本 裕
Ntt 未来ねっと研
-
杉田 憲一
福井大学
-
山本 〓勇
福井大学
-
三原 章宏
福井大学工学部
-
Bhuivan Ashraful
福井大学工学部
-
Bhuiyan Ashraful
福井大学工学部
著作論文
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 40Gbit/sInP HBT IC実現のためのデバイス技術
- 40Gbit/s InP HBT IC実現のためのデバイス技術
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1 : 16DEMUXおよびCDR/1 : 4DEMUX
- InP/InGaAsHBTを用いた低消費電力1:16DEMUXおよびCDR/1:4DEMUX
- InP/InGaAs HBTを用いた低消費電力1 : 16 DEMUXおよびCDR/1 : 4 DEMUX
- C-10-14 InP/InGaAs HBT 技術を用いた低電力10 Gbit/s 1:16 DEMUX IC
- 40Gbit/s光通信用 Digital OEIC
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- InP HBT再成長プロセスによる100GHz受信OEIC(超高速伝送・変復調技術, 超高速光・電子デバイス技術, 広帯域WDMデバイス技術, 一般)
- C-10-15 InP HBT再成長プロセスを用いた100GHz受信OEIC(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAl/Ti/Al電極構造の検討(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- 超高速1.55ミクロン帯単一走行キャリア・フォトダイオード
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- ウエハボンディング技術を用いて作製したペアゲート可変閾値FET
- C-4-12 InP/InGaAs単一走行キャリア・フォトダイオードの高周波特性から求めた光吸収層内での電子拡散係数
- GaAsSbのMOCVD成長とCBr_4によるCドーピング(III族窒化物研究の最前線)
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- 単一走行キャリアフォトダイオードとInP HEMT識別器からなる40-Gbit/sモノリシック集積ディジタルOEICモジュール
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- MOVPE法によるSi(111)基板上への中間組成InGaN膜の成長(薄膜プロセス・材料,一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)