横山 春喜 | NTTフォトニクス研究所
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概要
関連著者
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横山 春喜
NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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小林 隆
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話
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横山 春喜
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
日本電信電話株式会社
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小田 康裕
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所
-
小林 隆
NTTフォトニクス研究所
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小田 康裕
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社
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杉山 弘樹
日本電信電話
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渡邉 則之
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
Nttフォトニクス研
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横山 春喜
Nttフォトニクス研
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廣木 正伸
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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八木 拓真
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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松崎 秀昭
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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内田 昌宏
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話
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井田 実
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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鈴木 左文
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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寺西 豊志
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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小田 康裕
NTTフォトニクス研究所
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佐藤 理夫
日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所
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渡邉 則之
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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内田 昌宏
NTTアドバンステクノロジ株式会社
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深井 佳乃
NTTフォトニクス研究所
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渡辺 和夫
NTTフォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTアドバンストテクノロジ
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末光 哲也
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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井田 実
日本電信電話株式会社、nttフォトニクス研究所
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末光 哲也
Ntt フォトニクス研
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Asada Masahiro
The Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Tokyo Institute Of Te
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佐藤 理夫
日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Ntt フォトニクス研
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榎木 孝知
日本電信電話株式会社
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星 拓也
日本電信電話
-
井田 実
日本電信電話
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浅田 雅洋
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
鈴木 左文
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
松崎 秀昭
日本電信電話(株),NTTフォトニクス研究所
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栗島 賢二
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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末光 哲也
NTTフォトニクス研究所
-
末光 哲也
NTT フォトニクス研究所
-
深井 佳乃
NTT フォトニクス研究所
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杉山 弘樹
NTT フォトニクス研究所
-
渡辺 和夫
NTT フォトニクス研究所
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横山 春喜
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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小林 隆
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所
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重川 直輝
日本電信電話株式会社
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澤田 清仁
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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白石 誠人
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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松崎 秀昭
NTTフォトニクス研究所
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榎木 孝知
NTTフォトニクス研究所
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杉山 弘樹
NTTシステムエレクトロニクス研究所
-
和田 一実
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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宝川 幸司
神奈川工科大工学部
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重川 直輝
NTTフォトニクス研
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西村 一巳
NTTフォトニクス研
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内田 昌宏
日本電信電話株式会社,NTTフォトニクス研究所
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杉田 憲一
福井大学工学部
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山本 〓勇
福井大学工学部
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宝川 幸司
神工大工学部
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日向 健介
東京工業大学
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宝川 幸司
神奈川工科大学工学部
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Hohkawa Kohji
Department Of Electronic & Electrical Engineering Kanagawa Institute Of Technology
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井田 実
日本電信電話(株)nttフォトニクス研
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西村 一巳
Nttフォトニクス研究所
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重川 直輝
Nttフォトニクス研究所
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杉田 憲一
福井大学
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山本 〓勇
福井大学
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静野 薫
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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重川 直輝
大阪市立大学大学院工学研究科
-
松崎 秀昭
NTTフォトニクス研
著作論文
- スパイクドーピングにより低電圧化した共鳴トンネルダイオードテラヘルツ(0.8-0.9THz)発振器(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOVPE成長による高品質InP系共鳴トンネルダイオード(化合物半導体プロセス・デバイス・一般)
- C-10-15 歪系In_Al_P/In_Ga_As HEMTにおける短チャネル効果の抑制(C-10.電子デバイス)
- C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
- C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- Photoreflectance法によるInAlAs/InGaAs量子井戸およびHEMT構造の評価
- P2-17 GaN SAWデバイスにおけるサイドゲート効果(ポスターセッション2(概要講演))
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CS-6-2 アンチモン系材料によるHBT作製の課題(CS-6.ナノデバイスのための薄膜・材料技術-有機と無機/金属から絶縁体-あらゆる可能性を求めて,エレクトロニクス2)
- 高V/III比成長によるInP/InAlAsヘテロ界面急峻性の向上 : 気相成長II
- 共鳴トンネルダイオードによるサブテラヘルツ : テラヘルツ発振器
- 高ピーク電流密度・高PV比を有するMOVPE成長InP系共鳴トンネルダイオード
- InAlPをキャリア供給層に用いたHEMT構造の成長
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- InP系HEMTの信頼性評価 : ソース抵抗及びドレイン抵抗の変動
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- Si基板上にMOCVD成長した高品質InAlN/GaN HEMTエピ
- Si基板上にMOCVD成長したInGaN/GaN MQW構造太陽電池
- グレーデッドエミッタによる共鳴トンネルダイオードテラヘルツ発振素子の走行時間短縮(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- MOCVD成長CドープInGaAsSbベース低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- MOCVD成長狭バンドギャップInGaAsSbベースを有する低ターン・オン電圧動作ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- GaN/AlGaN/GaN接合を有するダイオードにおける特異なI-V特性 (レーザ・量子エレクトロニクス)