渡邉 則之 | NTTアドバンステクノロジ株式会社

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概要

• 同名の論文著者
• NTTアドバンステクノロジ株式会社の論文著者

関連著者

• 小林 隆

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 渡邉 則之

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所:(現)nttアドバンステクノロジ株式会社

• 小田 康裕

  日本電信電話株式会社nttフォトニクス研究所

• 渡邉 則之

  日本電信電話株式会社

• 杉山 弘樹

  Nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  NTTフォトニクス研究所

• 小林 隆

  NTTフォトニクス研究所

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社NTTフォトニクス研究所

• 佐藤 理夫

  日本電信電話株式会社NTTフオトニクス研究所

• 内田 昌宏

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

• 内田 昌宏

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所:nttアドバンステクノロジ株式会社

• 杉山 弘樹

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 佐藤 理夫

  日本電信電話株式会社 Nttフォトニクス研究所

• 横山 春喜

  日本電信電話株式会社

• 杉山 弘樹

  日本電信電話

• 横山 春喜

  日本電信電話

• 八木 拓真

  NTTアドバンステクノロジ株式会社

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著作論文

• C-doped GaAsSb におけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価およびデバイス(化合物, Si, SiGe, その他の電子材料))
• C-doped GaAsSbにおけるCアクセプタ水素不活性化の成長温度依存性(結晶成長評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,その他の電子材料))
• C-10-5 GaN系HEMT用エピでの光照射による電流コラプスの回復と励起波長との関係(C-10.電子デバイス,一般セッション)

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